晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202210523978.0，授权日为2026年5月22日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括：衬底，其包括凹槽结构区域和所述凹槽结构区域之外的非凹槽结构区域，且凹槽结构区域中形成有凹槽结构；第一导电类型阱和第二导电类型漂移区，且凹槽结构位于部分所述第一导电类型阱和第二导电类型漂移区中；阳极，其位于第二导电类型漂移区中；阴极，其位于第一导电类型阱中；栅极氧化层，其位于凹槽结构的部分底面上以及非凹槽结构区域的部分衬底上，以使栅极氧化层呈阶梯型；栅极，其位于栅极氧化层上，且呈阶梯型。本发明通过在衬底上形成凹槽结构，且将部分栅极氧化层和栅极设置在凹槽结构中以形成阶梯型的栅极氧化层和栅极，可以提高器件的导通电流速度以及器件的耐压能力。

今年以来晶合集成新获得专利授权204个，较去年同期增加了46.76%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1665条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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