晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器”，专利申请号为CN202610017860.9，授权日为2026年5月19日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器，属于半导体领域。该半导体结构包括：衬底；形成于衬底的隔离结构，所述隔离结构将衬底分隔为多个区域；所述隔离结构包括金属格栅、相对形成于金属格栅内外两侧的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构、金属格栅、第二半导体结构的费米能级依次升高或依次降低。该半导体结构可以有效改善金属格栅无法对准、光串扰、电流串扰等问题，从而提升背照式图像传感器的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权203个，较去年同期增加了49.26%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1653条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。