光迅科技获得发明专利授权：“一种InP基半导体激光器芯片与制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示光迅科技（002281）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种InP基半导体激光器芯片与制备方法”，专利申请号为CN202210507216.1，授权日为2026年5月19日。

专利摘要：本发明提供了的一种InP基半导体激光器芯片与制备方法，在制作P面电极的过程中，采用非常致密的金层作为电极，避免了传统方式激光器解理时，导致金层相连不易解理的问题，更防止水汽从芯片正面腐蚀有源层，通过将脊台两端附近的P面电极退后一部分区域，再采用致密的保护层覆盖，与P面电极下的复合膜相呼应，对芯片正面双重保护，使得水汽无法侵入芯片有源层；而腔面则采用ECR离子辅助镀膜技术镀上氧化铝钝化层，氧化铝的不仅膨胀系数和InP材料相近，而且膜质量更加致密，所以腔面不会因为芯片受热，而导致不同层材料之间产生缝隙，也防止了水汽从光学膜慢慢渗透进入有源层。

今年以来光迅科技新获得专利授权65个，较去年同期增加了182.61%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了10.39亿元，同比增45.75%。

通过天眼查大数据分析，武汉光迅科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目2448次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息1905条，著作权信息129条；此外企业还拥有行政许可97个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。