光迅科技获得发明专利授权：“一种半导体激光器芯片与制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示光迅科技（002281）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体激光器芯片与制备方法”，专利申请号为CN202210507202.X，授权日为2026年5月19日。

专利摘要：本发明提供了的一种半导体激光器芯片与制备方法，通过将腔面附近保留复合膜作为保护膜，防止金层在解理时直接拉扯InP材料，避免了金层拉扯碎屑吸附在腔面的问题；在制作P面电极金层制作的过程中，分成两次电极制作，第一层制作的金层电极致密且较薄，且在脊台靠近两端部分只有少量保留，保证了再基本解理时不会造成拉扯，第二层制作的金层电极较厚，并且不覆盖脊台靠近两端部分，保证了芯片散热；同时对双沟区域进行了BCB平坦化，避免在解理过程中出现解理纹路；在腔面则采用离子辅助镀膜技术镀上氮化铝钝化层，防止了水汽从光学膜慢慢渗透进入有源层，有效的提高了激光器可靠性。

今年以来光迅科技新获得专利授权65个，较去年同期增加了182.61%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了10.39亿元，同比增45.75%。

通过天眼查大数据分析，武汉光迅科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目2448次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息1905条，著作权信息129条；此外企业还拥有行政许可97个。

数据来源：天眼查APP

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