芯联集成获得发明专利授权：“电平位移器及其制备方法、半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“电平位移器及其制备方法、半导体器件”，专利申请号为CN202310216745.0，授权日为2026年5月15日。

专利摘要：本发明提供了一种电平位移器及其制备方法、半导体器件。通过在隔离掺杂区靠近场效应晶体管的一侧设置第一掺杂类型的掩埋掺杂区，以提高隔离掺杂区的侧边区域内的第一掺杂类型的离子浓度，有利于增强对隔离掺杂区的横向耗尽程度及对衬底的纵向耗尽程度，提高器件的耐压性能。并且，通过设置掩埋掺杂区，使得器件的击穿点可以由隔离掺杂区所对应的PN结位置转移至漏区下方的衬底内部，保证了电平位移器整体具有较高耐压的同时，隔离结构也具备较高的耐压，大大改善了高压侧电路和场效应晶体管的漏区之间的漏电问题。

今年以来芯联集成新获得专利授权29个，较去年同期增加了20.83%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了18.38亿元，同比减0.2%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1747次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息817条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。