兴福电子获得发明专利授权：“一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兴福电子（688545）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液”，专利申请号为CN202411705957.6，授权日为2026年5月12日。

专利摘要：本发明公开了一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、缓蚀剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于氧化硅薄膜的蚀刻，并对氮化钨层腐蚀作用小，蚀刻完成后氮化钨层表面均一性好。缓蚀剂有较强的配位能力和吸附性能，缓蚀剂与氮化钨表面发生化学吸附，形成一层保护膜，可阻止蚀刻液与氮化钨的进一步反应。本发明所述的蚀刻液对氧化硅层和氮化钨具有高选择性，蚀刻选择比可＞4000。本发明所述的蚀刻液可有效抑制氮化钨腐蚀，同时保证氧化硅蚀刻完成后氮化钨表面均一性。

今年以来兴福电子新获得专利授权10个，较去年同期减少了28.57%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了9291.33万元，同比增20.79%。

通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目232次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息532条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可287个。

数据来源：天眼查APP

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