晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及制造方法”，专利申请号为CN202511861595.4，授权日为2026年5月1日。

专利摘要：本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请发现在较长的多晶硅沟道上形成凹槽结构后，针对凹槽结构两侧的侧壁氧化层的回刻工艺会在凹槽结构的肩部区域形成深宽比极高的高深宽比区域，该高深宽比区域的深宽比远超高密度等离子体氧化物沉积工艺的工作范围，使基于高密度等离子体氧化物沉积工艺在凹槽结构内形成的氧化物填充结构可能存在气泡缺陷，影响器件性能。针对该情况，本申请在执行高密度等离子体氧化物沉积工艺前，调整凹槽结构内的氧化物界面与多晶硅界面，使其齐平以消除高深宽比区域，使凹槽结构的深宽比满足高密度等离子体氧化物沉积工艺的工作范围，进而形成致密的氧化物填充结构，保证其电学隔离性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权186个，较去年同期增加了56.3%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1621条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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