晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制备方法”，专利申请号为CN202512024320.1，授权日为2026年5月1日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构；刻蚀栅极结构两侧的衬底，以在衬底内形成源漏凹槽；在源漏凹槽内形成缓冲层，缓冲层覆盖源漏凹槽的内壁，缓冲层的至少部分表面上具有第一副产物层；至少在第一副产物层上形成第一吸附层，第一吸附层用于吸附第一副产物层内聚集的掺杂离子；至少去除第一吸附层；在源漏凹槽内形成籽晶层，籽晶层填充源漏凹槽。本申请在第一副产物层上形成第一吸附层，第一吸附层能够吸附第一副产物层内聚集的掺杂离子，去除第一吸附层，从而可以减轻或避免后续退火时第一副产物层内的掺杂离子扩散，导致器件运行过程中发生漏电的问题，提升了器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权186个，较去年同期增加了56.3%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1621条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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