立昂微（605358）2025年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期立昂微（605358）发布2025年年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司从事的业务情况

    （一）业务概况

    公司是国内极少数的半导体垂直一体化平台型企业，横跨半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，实现了横向多赛道覆盖与纵向关键环节的深度融合，形成了从前端核心材料到中后端高端芯片的完整产业闭环。

    公司三大业务板块——半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片，如驱动公司发展的“三驾马车”，各自聚焦细分领域，相互支撑、协同发展，已建立起行业领先的市场地位与核心竞争力。三大板块并非孤立的业务单元，而是依托共同的技术底蕴、共享的制造平台与协同的客户资源，形成的有机整体。这种复合型业务架构，共同构建了从硅片到芯片的一站式产品与解决方案平台，精准服务于能源革命、智能计算与无线连接的时代需求，构筑起抵御行业周期波动的战略纵深。

    报告期内，公司持续聚焦核心主业，深耕技术创新，优化产品结构，积极把握新能源、汽车电子、新一代通信、卫星互联网、人工智能、机器人、无人机等高景气赛道的战略机遇，推动核心业务稳健发展，整体经营质量与核心竞争力实现持续提升。

    半导体硅片业务：公司主营6英寸、8英寸、12英寸半导体硅抛光片及硅外延片，产品覆盖轻掺、重掺、N型、P型等多品类，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、模拟芯片、传感器等领域，下游覆盖新能源汽车、储能、新一代通信、工业控制、人工智能、消费电子、AI服务器和数据中心等高端市场。轻掺硅片具有高电阻率、低缺陷密度、晶体完整性优异的特点，主要作为逻辑芯片、存储芯片、模拟及射频芯片的基础衬底，在产业链中处于芯片制造最前端，决定芯片性能、良率与可靠性，是高端制程不可或缺的核心材料。重掺硅片通过高浓度掺杂实现超低电阻率，主要用于功率器件、高压器件、大电流芯片，能够显著提升器件导通效率与散热能力。8英寸硅片主要面向功率器件、电源管理、汽车电子等成熟工艺平台，12英寸硅片则面向先进制程与高端功率芯片。

    公司半导体硅片业务重点发展8英寸、12英寸重掺硅片与轻掺硅片，其中12英寸硅片已覆盖14nm以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器件。

    半导体功率器件芯片业务：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景，是电能转换与功率控制的核心元器件。SBD基于金属-半导体势垒结构，利用肖特基势垒实现低正向压降、超快开关速度，无反向恢复电荷，显著降低开关损耗。在产业链中为功率转换核心芯片，是车载电源、新能源逆变器、快充适配器的关键整流器件，保障系统高效、低噪、高可靠运行。FRD通过特殊掺杂与工艺优化反向恢复特性，兼具高耐压与快速关断能力，适配高频、高压功率回路。作为功率回路核心续流/整流器件，广泛用于新能源汽车电机控制器、新能源逆变器、工业UPS，提升系统效率与稳定性。MOSFET以栅极电压控制沟道导通，输入阻抗高、开关速度快、驱动简单，支持高频、高效功率控制。在产业链中为核心功率开关器件，覆盖新能源汽车OBC、车载DC-DC变换器、新能源组串逆变器、服务器电源，是电能转换与系统控制的核心执行单元。TVS利用雪崩击穿或齐纳击穿特性，在纳秒级吸收浪涌电压，保护后级电路免受过压损坏。作为电路保护核心器件，广泛用于汽车电子控制单元、通信设备、消费电子接口，保障系统在静电、浪涌冲击下安全稳定，是保障系统安全运行的关键基础器件。

    公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。

    化合物半导体射频及光电芯片业务：公司主要产品是HBT（异质结双极晶体管）、pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）、VCSEL（垂直腔面发射激光器）及GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）芯片，广泛应用于轨道卫星通信（高、中、低）、新一代通信、导航系统、车载激光雷达、智能驾驶、人形机器人、扫地机器人、无人机、光通信及手机终端等高端场景。HBT基于砷化镓异质结，兼具高频率、高功率密度与线性度，适配射频功率放大。作为射频功率核心器件，用于手机射频前端、卫星通信终端、无线基站，保障信号大功率、高效率发射。pHEMT基于砷化镓/铝镓砷异质结构，利用二维电子气实现超高频率、低噪声、高增益，适配毫米波与微波频段。在产业链中为射频前端核心放大器件，用于新一代通信基站、低轨卫星通信、雷达系统，实现信号低噪放大与远距离传输。VCSEL以垂直谐振腔结构，实现单模/多模激光发射，具有低阈值、高调制速率、易阵列集成特性。在产业链中为光电发射核心芯片，用于车载激光雷达、3D传感、数据中心光互联，是智能驾驶、机器视觉的核心感知光源。GaN-on-SiC芯片是以碳化硅为衬底、氮化镓为有源层，结合GaN高频、高功率与SiC高热导率优势，实现高压、高频、高温稳定工作。作为宽禁带射频/功率核心器件，突破硅基器件性能极限，提升系统功率密度与能效，用于新一代通信基站功放、卫星通信、新能源汽车车载电源、工业高频电源，是下一代射频与功率系统的核心升级方向。

    公司化合物半导体射频及光电芯片业务以6英寸GaAs（砷化镓）射频芯片与VCSEL光电芯片为核心，构建覆盖射频放大、信号发射与光电探测的完整产品体系，具备自主可控的6英寸晶圆制造工艺壁垒，高端产品实现规模化突破。

    （二）经营模式

    公司采用“半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片”三轮驱动、纵向一体化协同的经营模式，构建完整产业链布局。该模式通过各板块梯次发展与协同驱动，实现短期盈利稳定与长期增长动能结合，区别于单一业务或单一环节企业受行业周期与市场需求波动影响较大的局限。核心逻辑为：依托盈利稳定的中小尺寸硅片产品支撑大尺寸硅片的研发与产业化投入，以具有行业领先水平的重掺硅片业务为牵引带动轻掺硅片业务的技术创新和产能爬坡，持续巩固硅片板块全尺寸竞争优势；同时以成熟的半导体硅片及半导体功率器件芯片业务为基础，为化合物半导体射频及光电芯片业务提供全方位支撑，带动射频及光电芯片业务快速实现技术突破与产能放量，形成“成熟业务稳盈利、攻坚业务快突破、新兴业务高增长”的梯次发展格局。

    在此模式下，硅片板块为功率器件芯片板块提供核心衬底材料自主供应，降低原材料采购成本与供应链风险，提升产品交付稳定性；功率器件芯片为硅片板块提供稳定的内部需求、高效的技术反馈和市场资源，消化硅片产能的同时推动硅片产品向定制化、高端化升级，实现“材料与器件的双向赋能”；射频及光电芯片业务的高成长性为公司打开长期成长空间，在卫星互联网、激光雷达、机器人、无人机等终端应用领域占据先发优势。这种全产业链的协同效应是公司的核心价值。

    （三）市场地位

    公司三大业务板块，凭借产业链上下游整合优势、领先核心技术、优质客户资源及完善产能布局，成功打造协同互补、梯次发展的全链条产业生态，各业务板块构建显著竞争壁垒，均居细分行业龙头地位，在行业内具备较高知名度和品牌影响力。

    在半导体硅片领域，公司是国产半导体硅片产业的先行者，是我国较早从事半导体硅片制造的企业之一，在硅片领域拥有完整的自主知识产权，建立了完善的单晶炉热场设计理论和大直径硅单晶生长理论，具备深厚的技术积累与市场基础。在12英寸大硅片方面持续推进研发攻关与产能建设，现已跻身第一梯队，成为支撑国内半导体产业链自主可控的主流供应商。公司作为我国半导体硅片行业领先企业及重掺领域龙头企业，也是国内少数能够同时规模化生产全尺寸半导体硅片的企业之一。2025年，公司全尺寸硅片出货量折合4.78亿平方英寸，约占全球硅片出货量的3.68%。拥有全球产能及市占率最大的6英寸硅片生产基地、国内单体产能规模最大的8英寸硅片生产基地以及国内主要的12英寸硅片生产基地。重掺系列硅片在国内市场占据绝对领先地位，其中8英寸在国内主要客户端的国产采购占比约40%，12英寸重掺砷、重掺磷低电阻产品在国内客户端的国产采购占比超过50%，定价能力与国际巨头相当。重掺锑、超低阻重掺硼、砷烷外延等特殊规格产品在国内实现独家供应。

    在半导体功率器件芯片领域，公司作为国内特色工艺路线功率器件芯片制造者，依托自产硅片形成的全链条协同优势，公司构建了特色工艺技术和突出的成本控制能力，实现了从材料到芯片的自主可控。公司车规级产品比例不断提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商；在新能源与工业领域，光伏用控制芯片全球市场占有率超过30%；应用于新能源电控系统的FRD产品成功进入国内某重点逆变器制造厂商的供应链，实现了对其原海外主流供应商的替代升级，成长为该客户的核心供应商。公司产品广泛应用于新能源汽车、储能及工业控制场景，是绿色能源核心器件的赋能者。

    在化合物半导体射频及光电芯片领域，公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μmE/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。此外，公司开发的6英寸GaN-on-SiC晶圆性能已达到国际先进水平，全方位巩固了公司在该领域的核心竞争地位。

    二、报告期内公司所处行业情况

    2025年，全球半导体行业逐步走出周期底部，稳步进入复苏上行通道，行业整体景气度持续攀升。WSTS（世界半导体贸易统计组织）数据显示，2025年全球半导体市场规模达7,280亿美元，同比增长15.40%，复苏态势明确。国内半导体产业同步受益于国产替代进程加速与人工智能、新能源、智能驾驶等新兴应用场景的双重驱动，呈现出“高端化、规模化、差异化”的鲜明发展特征，产业竞争力持续提升。

    从各细分行业来看，公司所处三大核心领域均呈现差异化高景气发展态势，具体如下：

    在半导体硅片领域，2025年全球市场呈现“量增价减”的复苏特征，行业景气度拐点正式显现。SEMI（国际半导体产业协会）分析报告显示，2025年全球硅片出货量同比增长5.80%，达到129.73亿平方英寸，标志着全球硅片出货量正式重回增长通道；但同期硅片销售额同比下滑1.2%至114亿美元，反映出行业价格环境仍处于承压状态。这一“量价背离”态势的形成，主要源于两大因素：一方面，受人工智能应用快速渗透驱动，逻辑芯片用先进外延片与高带宽内存（HBM）用抛光片需求持续强劲，直接拉动整体出货量增长；另一方面，传统半导体应用领域需求依旧疲软，行业整体价格环境尚未得到根本改善，进而导致销售额出现下滑。

    在功率半导体领域，2025年全球市场在新能源汽车、储能、工业变频等绿色能源应用的强劲拉动下，保持高速增长态势。根据GlobalMarketInsights（全球市场洞察公司）数据，2025年全球功率半导体市场规模达到557亿美元，其中新能源领域（含新能源汽车、储能）贡献了约40%的市场增长，成为行业增长的核心引擎。中国报告大厅数据显示，2025年中国功率半导体器件市场规模达212亿美元，占全球市场份额的38.20%，近五年复合年增长率达15.60%，市场增长潜力显著。其中，新能源汽车是功率半导体最主要的增长驱动力，据行业测算，纯电动汽车所使用的功率半导体价值量约为传统燃油汽车的5至8倍。中国汽车工业协会发布的数据显示，2025年我国汽车产销量均突破3,400万辆，再创历史新高，其中新能源汽车产销量均超1,600万辆，国内新车销量占比突破50%，直接带动车规级功率器件需求爆发式增长。此外，国家能源局数据显示，2025年全国光伏新增装机3.17亿千瓦，同比增长14%；全国光伏发电装机容量达到12亿千瓦，同比增长35%，新能源领域的快速发展进一步释放了功率半导体的市场需求。

    在化合物半导体领域，2025年市场在功率、射频及光电子三大核心应用领域持续积蓄增长动能，发展势头迅猛。根据FortuneBusinessInsights（财富商业洞察）数据，2025年全球化合物半导体市场规模达到423.60亿美元，行业增长空间广阔。其中，射频芯片领域受益于新一代通信基站建设持续推进、低轨卫星互联网快速发展，需求保持稳步增长；光电芯片则依托智能驾驶（激光雷达）、AI终端（机器人视觉）等新兴场景的爆发式增长，需求激增。QYResearch（恒州博智）数据显示，2025年全球化合物半导体射频芯片市场销售额达到31.58亿美元；中商产业研究院分析数据显示，2025年中国射频前端芯片市场规模已突破1,150亿元，同比增长约15%；中国激光雷达市场规模预计达240.70亿元，同比增长超70%，为化合物半导体产业发展提供了强劲支撑。

    总体来看，2025年公司所处行业整体呈现“复苏上行、国产加速、高端突破、协同发展”的发展特点，既为公司发展提供了广阔的市场空间和政策机遇，也带来了技术快速迭代、国际市场竞争加剧等方面的挑战。公司所处的半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，均处于行业高景气发展阶段，充分受益于下游新兴赛道需求爆发与国产替代红利，行业发展前景广阔，为公司核心业务的稳健发展奠定了坚实的行业基础。

    三、经营情况讨论与分析

    2025年，公司紧抓行业复苏与国产替代机遇，聚焦高端研发、产能释放、成本控制及客户拓展，各业务板块稳健发展，龙头地位持续夯实，技术与产能突破显著。公司已处于从“产能扩张期”向“业绩释放期”的关键拐点，经营业绩稳步改善。

    （一）经营成果概述

    报告期内，公司实现营业收入359,091.90万元，同比增长16.12%，其中实现主营业务收入355,130.59万元，同比增长15.93%，创出历史新高。从产品销售金额来看，半导体硅片业务收入267,868.04万元（含对母公司的29,413.74万元），同比增长19.66%，其中12英寸硅片收入85,937.36万元，同比增长65.63%；半导体功率器件芯片业务收入83,931.83万元，同比略有下降，其中FRD芯片收入17,841.78万元，同比增长96.18%；化合物半导体射频及光电芯片业务收入32,744.47万元，同比增长10.84%，其中VCSEL芯片收入4,635.38万元，同比增长723.30%，pHEMT芯片实现收入4,194.60万元，同比增长18.75%。从产品销量情况来看，各业务板块呈现差异化增长与突破性发展态势，高端产品迭代升级与新场景应用拓展成为公司增长的核心引擎。2025年，公司硅片总销量折合6英寸1,939.74万片（含对母公司的248.16万片），同比增长28.22%，其中12英寸销量178.57万片（折合6英寸714.29万片），同比增长61.90%；半导体功率器件芯片销量193.37万片，同比增长6.01%，其中FRD销量22.68万片，同比增长87.04%；化合物半导体射频及光电芯片销量4万片，同比基本持平。

    报告期内，公司实现EBITDA（息税折旧摊销前利润）111,971.85万元，同比增长75.86%；实现归属于上市公司股东的净利润-14,244.42万元，同比减亏幅度达46.40%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-18,279.28万元，同比减亏幅度达31.27%。

    报告期内，公司实现归属于上市公司股东的净利润同比大幅减亏，主要得益于半导体硅片板块盈利能力的复苏。随着产品结构持续向高端化迭代升级，半导体硅片业务折合6英寸的平均销售单价自2025年第一季度起呈现逐季提升态势，加之产销规模的稳步扩张，尤其是12英寸硅片产销量实现大幅增长，硅片单位成本亦随之同步下降。在销售价格提升和单位成本下降的双重驱动下，合并口径半导体硅片业务的主营毛利率从2024年度的-1.82%上升至2025年度的5.64%，其中12英寸硅片负毛利率同比收窄显著，主营毛利率从-77.60%大幅收窄至-33.16%。受此影响，硅片业务特别是12英寸硅片本期计提的存货跌价准备金额也大幅缩减。

    2025年度公司净利润续亏的主要原因有：（1）随着公司扩产项目陆续转产，本报告期折旧摊销支出112,787.31万元，同比增加18,880.05万元；（2）基于谨慎性原则，本报告期计提了12,545.81万元的存货跌价准备；（3）报告期内公司计提了13,539.93万元的可转债利息费用；（4）2024年12月控股子公司金瑞泓微电子收购联营企业嘉兴康晶持有的嘉兴金瑞泓41.30%股权导致利润减少4,625.35万元。

    报告期内，经营活动产生的现金流量净额为83,864.40万元，与上年同期的81,096.60万元相比，增加2,767.80万元，增长3.41%；投资活动产生的现金净流出84,567.33万元，与上年同期的210,773.48万元相比，减少126,206.15万元，降幅59.88%，主要系本期购建固定资产支付的现金相比上年同期大幅减少所致；筹资活动产生的现金净流出9,374.16万元，较上年同期减少120,164.75万元（上年同期为净流入110,790.59万元），主要系本期收到的借款减少及偿还的借款增加共同影响所致。

    报告期末，公司总资产1,922,470.11万元，较期初下降0.51%；总负债1,107,955.86万元，较期初增长0.82%；归属于上市公司股东的净资产719,862.10万元，较期初下降1.90%。

    （二）具体经营情况介绍

    报告期内，公司聚焦核心目标，攻坚克难、精准发力，重点推进以下经营工作，各项工作取得明显成效，核心成绩突出、领先优势凸显。

    1、聚焦高端产品研发，技术突破成果斐然，筑牢核心技术壁垒

    公司坚持创新驱动，持续优化研发体系，聚焦三大业务开展高端技术攻关，推动研发成果高效转化，为业务扩张与产品升级提供了坚实支撑。

    （1）半导体硅片业务：以重掺晶体生长配套外延沉积技术为核心根基，全速推进12英寸轻掺硅片的快速上量和新客户拓展。公司12英寸轻掺硅片产品线坚持高端化、差异化发展路线，充分发挥深厚的外延工艺技术积淀，着力构建多元化的产品矩阵，区别于传统轻掺硅片过度集中于特定应用领域的市场格局，已在逻辑电路、BCD工艺、PMIC电源管理等非存储类应用领域形成全系列覆盖。其中，逻辑电路用轻掺硼外延片，BCD工艺、PMIC电源用轻掺硼硅片等相较于常规轻掺硅片具有更高议价能力的核心产品已在客户端快速上量；成功实现CIS器件应用领域28nm制程标志性突破，应用于安防监控、手机摄像及医疗检测的CIS外延产品快速上量，特别是适配下一代更高像素CIS器件的渐变外延产品研发成功，国内外头部客户积极验证中。

    在重掺硅片领域，公司持续巩固领先地位，同步加快重掺磷、重掺砷超低阻产品的迭代开发。其中12英寸重掺砷、12英寸重掺磷衬底外延片等多款产品采用了全球领先的超重掺杂单晶生长技术，实现了极高浓度及高均匀性掺杂，衬底电阻率可低至0.001Ω·cm量级，可显著降低功率器件的导通电阻和开关损耗，满足AI服务器电源对高效率、高功率密度的苛刻工况要求。具有独创性的特色砷烷外延产品获得客户全方位认可，出货量及市场占有率强势攀升；12英寸MCZ超低氧抛光片精准切入国内外高压IGBT市场并成功上量，广泛应用于新能源汽车、智能电网等领域；全尺寸系列高质量埋层外延产品在客户端验证通过，应用于高频滤波器的超高阻抛光片持续增量。

    报告期内，公司面向多元化应用场景共开发21类具有差异化的新产品，其中：12英寸新产品131款，进入量产112款；8英寸新产品124款，进入量产96款；6英寸新产品156款，进入量产136款。通过对晶体生长、切片、抛光、外延全流程工艺的持续优化与流程再造，产品良率与生产效率实现倍增。以差异化的技术路径和卓越的定制化产品性能，避开同质化竞争，不断夯实在高端硅片市场的领先地位。

    （2）半导体功率器件芯片业务：全面启动车规级产品对标国际标杆工程，建立动态技术对标机制，集中突破FRD结构优化、SJMOS导通损耗、IGBT开关特性等关键技术瓶颈，新一代高频低损耗、高可靠性FRD芯片在新能源汽车与工业控制领域实现国产替代。自主搭建的设计代工开发平台获得产业链主流厂商认可，为工业通信、电源管理芯片自主可控提供重要支撑。全年完成225款新品开发，其中FRD产品占比20%左右，某重点客户应用于大型风光储能1200V项目的产品顺利实现量产；SBD、TVS、MOS各品类新品完成梯度开发与客户验证，其中新能源控制芯片迭代款实现VR提升10%、VF下降2mV的性能优化，产品竞争力显著提升。

    （3）化合物半导体射频及光电芯片业务：公司聚焦高频高增益技术路线，持续深化异质结外延等核心工艺研发，同步推进低成本工艺与材料国产化替代。

    在pHEMT芯片领域，公司攻克了器件跨导线性度与功率附加效率的耦合难题，开发的“多功能应用双0.15μmGaAspHEMT工艺（LP09-10）”已应用于千帆星座系统；优化后的LP09-20工艺击穿电压达15V以上，E-mode击穿性能提升两倍，并完成多轮迭代与材料国产化定型，公司pHEMT技术已覆盖卫星通信领域从低轨到高轨不同应用场景的多元化器件，可满足不同轨道卫星通信对射频芯片的多样化需求。同时，可适配宇航级芯片、高端专用通信等高可靠应用场景，满足特殊领域小批量、多批次、定制化的配套需求，积累了众多航天领域的优质客户，形成较高技术壁垒和准入优势。

    在HBT芯片领域，自主开发的第三代LH0Z新工艺采用ICP干法结合湿法刻蚀，实现0.5μmT-Base与Ledge结构，显著降低寄生电容、提升性能与可靠性，可覆盖2GHz-10GHz的多频段应用，是目前全球最先进的HBT工艺之一，已进入新一代通信/WiFi7手机射频前端及基站功放等高端市场；InGaPDHBT工艺亦达国际先进水平，进入全球部分手机头部客户供应链。

    在光电芯片领域，背发光透镜VCSEL工艺已完成开发并实现客户送样；二维可寻址大功率VCSEL技术达全球领先水平；相关产品深度赋能车载激光雷达、智能视觉传感领域；同时前瞻性布局高速光通信技术，搭建起850nm-1060nm波段的高速VCSEL技术能力，可支撑10Gbps-100Gbps的数通市场，同时微矩阵、背发光技术也积累了深厚技术基础，具备向数据中心光互联、前沿硅光应用领域延伸拓展的技术实力。

    在GaN-on-SiC领域，6英寸GaN-on-SiCHEMT工艺已完成开发并进入客户验证阶段。整体而言，公司形成了多种类化合物射频芯片与高性能光电芯片双轮驱动的平台化能力，应用边界持续拓宽，多项工艺具备客户送样与规模量产条件，为下一阶段增长储备了关键技术。

    2、推进产能精准释放，规模效应凸显，成本控制成效显著

    公司聚焦产能释放、效率提升与成本优化，通过精准排产与精益管理，推动既有产能充分释放，实现产能向产出的高效转化。

    （1）产能爬坡成效显著：各业务板块产能持续爬坡，其中12英寸重掺硅片产能爬坡迅速，目前稼动率已超80%，接近满产。通过持续的设备改造、技术改进与工艺优化，12英寸及8英寸产线的关键环节在生产效率和产品良率上均取得显著进步，各产线已逐步进入稳定、高效运转阶段。海宁基地砷化镓产线建成了年产6万片生产能力，实现了商业化量产，为后续产能释放奠定坚实基础。

    （2）生产效率持续提升：硅片板块引入BLM业务领先模型，助力硅片业务实现年销售额20%左右的增长，其中12英寸重掺外延片年度销量翻倍，各类产品市场占有率稳步提升，产能转化效率显著提高。功率器件芯片板块人均产出效率持续提升。射频及光电芯片板块对杭州基地的生产运营与管理体系进行系统性调整，组建年轻化管理团队，推动晶圆入库与产品出货量在11月双双创下历史新高，顺利迈入稳定量产阶段，同时工艺良率大幅提升。

    （3）国产化与成本控制：公司通过订单全生命周期可视化管理与跨职能协同响应机制，贯通三大业务链生产调度，提升产能利用率。依托全产业链优势，优化生产流程、推进精益生产，降低单位生产成本，各业务板块成本管控亮点突出。硅片板块供应链持续推进多品类原辅料国产化替代及二供体系建设，针对石墨件、石英坩埚、金刚线、研磨液等关键物料，通过招投标及国产化替代等举措有效降低成本，降本效果突出。功率芯片板块在光刻胶等重要材料上完成了高比例的国产化切换，并通过技术改造与产能整合，有效降低了特定工艺环节的物料消耗，提升了设备综合利用率。射频及光电芯片板块建立贵金属全流程管控体系，MES系统实现蒸发加金监控、点检片加工量追溯，有效降低贵金属损耗。

    3、深化高端客户合作，客户结构持续优化，订单储备充足

    公司深化高端客户战略合作，增强客户粘性，推动核心客户订单稳健增长，为业务可持续发展提供坚实基础。

    （1）半导体硅片业务：与中芯国际、华虹公司等头部晶圆厂深入合作，产品覆盖14nm以上技术节点，批量供应高端硅片产品；与格科微建立深度战略合作关系，成为其CIS领域核心材料供应商，协同研发高像素产品并实现技术赋能；拓展合肥晶合、无锡华虹等CIS领域客户，士兰集科、深圳润鹏等BCD领域客户，成都比亚迪、青岛物元Logic领域客户，客户结构持续多元化。

    （2）半导体功率器件芯片业务：公司立足自身特色工艺路线，持续聚焦车规级市场，已形成显著的差异化竞争优势。车规级产品出货占比稳步提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商，推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。在工业与新能源市场，应用于新能源电控系统的FRD产品成功进入国内某重点逆变器制造厂商的供应链，实现了对其原海外主流供应商的替代升级，成长为该客户的核心供应商。凭借在超结MOSFET领域的关键技术突破，公司成为韩国功率半导体领域的头部IDM厂商KEC的合格供应商。技术与市场的双重突破，持续提升公司在功率半导体领域的核心竞争力与市场份额。

    （3）化合物半导体射频及光电芯片业务：与速腾聚创、禾赛科技、瑞识智能等达成战略合作，车规级VCSEL芯片大批量出货；pHEMT芯片用于低轨卫星，已进入航空航天与卫星通信领域，应用于“千帆星座”、“星网”等项目，通过铖昌科技、华芯天微、臻镭科技、安徽矽磊、苏州宜确等实现大规模出货；HBT芯片通过昂瑞微、唯捷创芯、康希通信、慧智微等进入手机供应链。

    4、深化运营体系变革，系统提升组织效能

    公司以“经营回报”为核心，系统推进管理升级与内部强化，全面提升运营效率与经营质量。

    （1）组织架构与效能优化。在“以客户为中心”的导向下，各业务板块优化组织架构，明确权责，强化跨部门协同，有效提升了决策与执行效率。公司建立了分层分类考核体系，推行职能部门月度绩效与销售季度奖金考核，将人均效率、产能利用率、产品结构等关键指标纳入核心考核范畴。针对重点项目成立跨职能攻坚团队，实现了高效协同作战，组织整体效能稳步提升。

    （2）生产管理与质量攻坚。公司完成了集团一体化数字运营基座建设，取消了45%的冗余流程，IT维护成本大幅降低，推动EHS、人事、客诉等核心流程全面线上化、标准化。通过持续推进智能化改造与引入先进生产管理系统，实现了对生产过程的精准管控，有效提升了生产效率与产品良率。质量管控体系持续完善，搭建了质量数据（SPC/FDC）管控平台，优化供应商管理，新增合格供应商超30家，客户投诉次数同比下降明显。针对新能源、车规级产品实施精细化生产管理，通过流程优化实现降本，全流程质量管控得到强化，产品质量稳定性获客户高度认可。同时，建立的贵金属全流程监控体系与MES系统追溯预警机制，进一步增强了生产端的内控水平。

    （3）人才发展与激励创新。公司建立并完善了“研发项目制+绩效考核”的创新激励机制，加大核心技术及管理人才的引进与培养力度。截至2025年末，公司研发人员达519人，占总人数比例约13.56%。通过优化人才结构、引进专家型人才、构建多元化薪酬体系、完善中层管理人员考核机制，并强化生产端技能人才培养，人均生产效率持续提升。公司强化研发队伍建设，围绕GaN、VCSEL等核心工艺成立专项攻关小组，为技术创新与业务发展提供了坚实的人才支撑。

    （4）财务优化与资源保障。公司强化资金统筹与成本管控，优化融资结构，降低融资成本，严控费用支出，资金使用效率显著提高。2025年，公司经营活动现金流量净额逐季改善。通过严格控制非生产性支出，优先保障研发与核心业务投入，确保了现金流安全与资产稳健，为年度目标达成及战略实施筑牢了财务基础。

    5、推进产业链协同发展，深化合作共赢，保障供应链安全

    公司作为产业链链主，积极发挥核心带动作用，深化上下游协同与合作，构建共赢生态，有力保障了供应链的安全与稳定。

    （1）供应链国产化：全面推进原材料与设备国产化替代，海宁基地设备国产化率达95%以上、原辅料基本实现国产化，杭州基地完善设备零部件以及光刻胶、化学品等二供开发与国产化替代，降低供应链风险，不受外部制约，构建起坚实的产能护城河；硅片事业部完成多品类原辅料国产化与二供开发，减少单一供方依赖，保障供应链稳定。

    （2）产业链合作：深化与下游客户、科研机构、高校的合作，与下游客户开展协同研发、产品开发，实现共享资源、优势互补。与有关高校及上下游合作申请并获得省市科研攻关项目立项，获得资金补助。积极参与行业协会与产业联盟活动，推动行业标准制定，提升公司在行业内的话语权与影响力。

    6、践行股东回报理念，强化投资者关系管理，提升市场认可度

    始终践行“以投资者为本”的发展理念，高度重视股东回报与投资者关系管理工作，努力提升公司经营业绩，增强股东回报能力。制定并实施2025年度“提质增效重回报”行动方案，聚焦主营业务发展，提升盈利能力，为股东创造更多价值；严格按照法律法规与公司章程的要求，规范信息披露行为，确保信息披露的真实性、准确性、完整性和及时性，保障投资者的知情权；加强与投资者的沟通与交流，通过业绩说明会、投资者调研、e互动等多种形式，及时向投资者传递公司经营情况、发展战略与核心优势，倾听投资者意见与建议，提升投资者对公司的了解与认可；合理规划股东回报方案，努力提升股东回报水平，增强公司市场吸引力与投资者信心。

    四、报告期内核心竞争力分析

    2025年，公司持续强化核心竞争力建设，立足全链优势，聚焦技术创新、产品升级、客户绑定与产能布局，突破多项核心技术，彰显公司作为国产半导体龙头的核心竞争力。

    （一）全产业链布局与一体化垂直整合优势

    公司作为一家主营半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片三大业务垂直整合的半导体企业，其全产业链布局超越了简单的业务叠加，而是三大板块各自深耕细分赛道，锤炼出可与单一赛道标杆企业比肩的独立竞争力。在此基础上，通过全产业链深度协同，公司在技术研发、供应链、客户资源等方面形成了显著的内生协同效应，构筑起“1+1+1>3”的稀缺系统竞争壁垒。这种全产业链一体化整合模式，在国内半导体行业中具备较强的稀缺性，是构建独特核心价值的关键支撑，更是公司在行业竞争中形成差异化优势的核心根基。

    与多数聚焦半导体单一业务或单一环节的企业相比，公司的核心差异化在于构建了内闭环的产业生态。报告期内，功率器件芯片业务所需核心硅片保持100%自给，这不仅在行业产能波动时保障了供应链安全与生产稳定，更从产业链最上游实现了关键成本的精准管控。通过高效的内部协同，公司有效降低了跨环节交易与库存成本，提升了整体盈利弹性与毛利率稳定性，构筑了兼具成本与效率的护城河，并形成了强大的内循环抗风险能力。在全球供应链区域化重构的背景下，这种闭环生态使公司能有效规避部分“卡脖子”风险，显著增强了经营韧性。其抗周期能力体现在：行业下行期，可通过内部协同对冲外部市场波动；行业上行期，则能同步享受“量价齐升”的市场红利与“硅片自供”带来的成本优势，为盈利增长提供双重动力。

    三大业务板块依托全产业链布局，实现了研发、技术与产业化经验的深度共享与双向赋能，形成了独特的协同创新体系。硅片领域对晶体缺陷、电阻率的精准控制，可直接、快速地赋能功率器件领域开发更高效率、更耐高压的MOSFET、TVS等产品，材料端的研发成果能够快速迁移至下游功率器件、射频及光电芯片的工艺优化，加速下游芯片产品的性能迭代升级。同时，功率器件与射频及光电芯片所洞察的终端应用与定制化需求，可精准反向驱动硅片产品的定制研发。这种“研发-应用”双向反馈机制，大幅加速了产品迭代周期，确保创新紧扣市场痛点。该协同效应使公司在12英寸高端硅片、车规级功率器件芯片、VCSEL芯片等高端产品的研发与量产中，具备了显著的先发优势与快速的市场响应能力。

    公司通过全产业链整合，实现了从研发、生产、供应链到成本控制的全环节高效贯通，最大化释放了协同价值。核心供应链的国产化既保障了安全稳定，也提升了运营效率与客户粘性。全链能力更为跨场景、跨领域的协同创新提供了坚实支撑，能够有力推动硅片与功率器件在新能源汽车、储能、化合物半导体与卫星通信等前沿领域的交叉应用与解决方案创新。这使得三大业务板块在各自细分赛道巩固领先地位的同时，形成了彼此支撑、协同共进的增长格局，有效打破了单一赛道发展的周期波动限制，构建了持续稳健发展的多极支撑。

    公司的全产业链布局遵循梯次发展的战略逻辑，科学统筹了短期盈利与长期增长。以成熟的规模化业务筑牢当期收益基础，同时依托面向未来的高端研发布局未来增长曲线，系统性地增强了公司的综合盈利能力、抗风险能力与发展确定性，为公司在复杂市场环境中实现高质量发展提供了坚实保障。

    （二）持续研发投入与核心技术优势

    公司坚持高强度研发投入，打造高素质团队，在多个细分领域实现技术突破，关键性能比肩国际领先水平。

    半导体硅片业务：公司拥有完整的自主知识产权，建立了完善的单晶炉热场设计理论和大直径硅单晶生长理论，掌握的重掺硅单晶生长技术在全球范围内具有领先优势，打破了日本SUMCO、德国Siltronic等国际巨头长期以来在该领域的垄断地位。在12英寸重掺磷、重掺砷超低阻单晶生长，8英寸重掺磷、重掺砷超低阻单晶生长，高功率Superjunction器件用12英寸厚层外延片、高耐压IGBT器件用12英寸MCZ超低氧抛光片产品、低线宽BCD工艺用12英寸抛光片等领域实现多项技术突破。其中国内独家掌握12英寸重掺锑单晶、12英寸超低阻重掺硼单晶生长技术以及砷外延、渐变外延、多层外延、高均匀性超厚外延、低表面缺陷超低阻衬底外延等特殊规格的产品技术。逐步缩小与国际巨头的技术差距，打破国际垄断，引领国产替代。半导体功率器件芯片业务：公司车规级FRD、TVS、SJMOS等产品实现性能与工艺双优化技术，达到行业先进水平，成功进入头部汽车厂商供应链；新能源逆变器用FRD芯片实现1300V寿命控制方案突破，推动全球首个千伏交流新能源系统诞生；自主设计代工开发平台，得到产业链主流厂商高度认可，助力工业级通讯设备、电源管理芯片领域实现自主可控。

    化合物半导体射频及光电芯片业务：公司凭借全流程智能产线及国际领先的自主工艺平台，构筑起较高的技术护城河。在HBT芯片方向，已实现9类以上差异化InGaPHBT/DHBT工艺量产，覆盖高线性LH05（基站/WiFi）、高健壮LH07（卫星）、高增益高线性LH09、LH10（下一代通信）等多系列平台，采用DHBT双异质结设计，功率附加效率与抗失配性能达世界领先水平。在pHEMT芯片方向，公司掌握稀缺的0.15μmE/D-mode双工艺，行业内率先实现将0.15μm功率管、低噪声管、二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片的可量产技术，融合了独立优化的栅长为0.15μm的Emode低噪声pHEMT与0.15μmDmode功率pHEMT，在行业中首次实现了将性能领先的功率放大器和低噪声放大器集成在同一芯片内，广泛适用于低轨卫星、通信终端及基站LNA等高端场景。在VCSEL芯片方向，公司技术稳居全球第一梯队，支持动态分区点亮，适配纯固态雷达设计，点云密度提升45倍，探测精度达亚毫米级，可识别5厘米小石子等微小目标，满足L3+高阶自动驾驶需求，作为智能驾驶“眼睛”广泛应用于激光雷达、3D传感等领域。公司还已布局高速光通信技术，构建覆盖850-1060nm波段的高速VCSEL技术平台，可支撑10Gbps-100Gbps的数通市场，积累了微矩阵、背发光等深厚技术，为未来增长储备了关键技术。在GaN-on-SiC芯片方向，已完成0.45μm与0.25μmGaNHEMT核心工艺开发，其中0.45μm工艺攻克背孔刻蚀行业难题，性能达国际前列，为新一代通信基站、卫星通信、无人机等高频高功率应用奠定基础。

    （三）全链协同能力与核心客户优势

    公司凭借领先的产品质量，深度绑定国内外头部客户，与众多头部优质企业建立了长期稳定的供应链关系，在业界形成了较好的品牌效应与强大的市场竞争能力。构建了高端化、多元化、高粘性的客户生态，为公司长期稳定发展提供坚实支撑，构成了公司业绩确定性与抗风险能力的核心支柱。

    公司凭借全链协同能力，构建了独特的“半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片”全链条服务模式，可精准匹配客户一体化需求，实现硅片、器件、芯片的同步研发、同步优化，快速响应定制化需求，形成“研发-供应-迭代”的协同联动机制。在新能源汽车领域为客户同步提供车规级硅片、FRD器件及车载雷达所需的VCSEL芯片，实现从上游材料到下游器件、芯片的全链条覆盖，无需客户对接多个单一业务或单一环节供应商，大幅降低客户的采购与供应链管理成本。在新能源与工业控制领域，为头部逆变器客户提供从特色硅片到FRD功率器件的协同解决方案，公司已成为其新能源FRD器件的核心供应商。这种全链条服务能力更具稀缺性，保障了客户供应链的稳定。

    （四）布局完善与产能领先的规模优势

    公司立足行业发展趋势，前瞻性布局核心产能，形成布局完善、产能领先的规模优势，可快速响应市场需求，抢占国产替代机遇，同时依托规模效应降低生产成本，巩固核心竞争力。公司采用多基地分布式布局，硅片业务拥有宁波、衢州、嘉兴三大基地，射频及光电芯片业务布局杭州、海宁两大基地，通过区域分散、产能互备构建高安全供应体系，有效抵御各类突发风险，全方位保障订单稳定交付与供应链安全。

    半导体硅片业务：公司拥有全尺寸硅片产能，其中6英寸抛光片（含衬底片）75万片/月、8英寸抛光片（含衬底片）60万片/月、12英寸抛光片（含衬底片）30万片/月，6-8英寸外延片95万片/月、12英寸外延片15万片/月。6-8英寸设备兼容性强，可根据市场需求快速切换工艺，产能弹性大，精准匹配客户多样化需求，产能转化效率行业领先。同时，投资22.62亿元的年产180万片12英寸重掺衬底硅片项目与投资23.02亿元的年产180万片12英寸半导体硅外延片项目形成全链条配套，投资12.30亿元的年产96万片12英寸轻掺硅外延片项目有序推进中。半导体功率器件芯片业务：功率芯片月产能达23.5万片，其中车规级、新能源大功率器件产能已完成优化，可快速响应客户需求，保障订单快速交付。

    化合物半导体射频及光电芯片业务：海宁基地一期年产6万片产线进入产量爬坡阶段，已通过多家核心客户审核；2026年将逐步释放新增产能，实现HBT、2DVCSEL、6英寸GaN-on-SiC等高端产品规模化量产。杭州基地产线效能大幅提升，晶圆入库量及出货量创历史新高。目前两大基地合计年产能15万片，通过协同制造保障客户多样化订单需求，增强公司抗周期能力与综合盈利能力。

    （五）管理团队与人才队伍稳定优势

    公司拥有一支专业、稳定、经验丰富的管理与技术人才团队，核心骨干技术功底扎实、行业积淀深厚、忠诚度高，核心团队司龄20年以上人员占比超过60%，在公司发展过程中起到关键“稳定器”作用。团队稳定性优势不仅体现为低流失率，更形成了成熟的技术传承、经验传递与人才传帮带机制——资深专家与青年骨干结对培养，关键岗位后备人才储备充足，确保核心技术、工艺诀窍与质量管理经验代际延续。这种“以老带新、结构合理、梯队完备”的人才生态，为公司长期稳健经营、工艺持续优化、文化一脉相承提供了坚实保障，也成为应对行业周期波动、保持战略定力的重要支撑。

    （六）设备自主改造、精细化运维及产线高度自动化与信息化优势

    公司具备深厚的半导体专用设备自主改造与精细化运维能力，核心设备团队技术扎实、实操能力强，能够对新设备进行针对性适配改造，并对存量设备实施性能挖潜与翻新复用，从而在优化工艺、塑造产品特色的同时，显著降低固定资产投入、提升生产效率和成本竞争力。

    在设备改造和运维基础上，公司全面推进全产线自动化、信息化与智能化升级，构建了高可靠、高效率的智能制造体系。硬件方面，采用国产化、客制化专用设备及百级洁净车间，保障了全工艺节点的自主可控与产品高一致性；软件方面，通过部署MES/EAP/ERP等全流程数字化系统，实现了生产执行、设备运维、仓储物流等环节的精细管控与数据贯通。

    各生产基地在此统一体系下进一步形成了差异化协同优势：海宁基地一期（年产6万片产能）生产线是目前最现代化、自动化程度最高的射频及光电芯片制程FAB，该产线通过激光划片零崩角等关键工艺验证，保障产品一致性与质量稳定；嘉兴基地12英寸硅片产线作为国内先进、自动化水平领先的高品质产线，配备单晶生长至抛光环节的全流程自动化天车系统及信息化仓储系统，实现了物料流转与生产执行的全链自动化，与公司整体制造体系协同发力。

    公司以设备自主改造与精细化运维为根基，叠加统一的智能制造体系，全面提升制造水平、运营效率与抗风险能力，为高质量、规模化生产提供坚实支撑。

    （七）历史积淀深厚、品牌口碑卓越的长期竞争优势

    公司是国内最早专业从事半导体硅片研发与生产的企业之一，自成立以来深耕硅片领域数十年，从4英寸、5英寸、6英寸等中小尺寸硅片起步，逐步发展并完善8英寸、12英寸全尺寸产品布局，始终紧跟行业技术迭代与尺寸升级规律。公司拥有完整的自主知识产权，建立了完善的单晶炉热场设计理论和大直径硅单晶生长理论，形成了深厚的技术积淀与稳定的技术传承体系。凭借长期稳定的产品交付、持续可靠的质量保障与高效专业的技术服务，公司在国内外下游客户中树立了良好的市场口碑与优质品牌形象。依托对行业的深刻理解与丰富的服务经验，公司能够快速、精准识别并响应客户需求，沟通高效、响应及时，实现产品方案、质量保障、交付服务全链条可靠支撑，为客户提供稳定、可信赖的长期合作保障，进一步巩固公司在半导体硅片领域的核心竞争地位。

    （八）专利优质、人才集聚的创新生态优势

    公司构建起专利优质、人才集聚、产学研深度融合的创新生态体系，为技术持续迭代与高端突破提供坚实支撑，筑牢长期核心竞争壁垒。在知识产权方面，公司围绕全产业链核心工艺进行高质量专利布局，形成对核心技术的多层次保护，合理划分可公开技术与核心保密技术的边界，积极申请针对性强、转化价值突出的高质量专利，形成严密的技术保护网；对于不宜公开的核心know-how，则通过商业秘密、技术诀窍等形式予以保护。这种“专利+秘密”的双轨保护体系，既实现自主研发成果的合规保护，又有效守护核心技术秘密，实现专利布局与核心技术保护的双向赋能，助力产品竞争力与市场效益的稳步提升。截至报告期末，公司累计拥有有效授权专利82件（发明专利37件，实用新型专利45件），主持或参与制定国家及行业标准36项。在人才方面，公司坚持“投资于人与投资于物并重”，打造高素质、稳定的研发与管理团队。2025年研发投入25,596.43万元，占营业收入的7.13%。在产学研协同方面，公司与浙江大学、杭州电子科技大学等重点高校及科研机构深度合作，联合攻关关键核心技术，并依托链主地位牵头建设省级创新联合体等平台，整合行业资源，打通研发到产业化的全链条，助力公司技术水平始终保持行业前列。

    五、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入359,091.90万元，同比增长16.12%，创出历史新高；实现EBITDA（息税折旧摊销前利润）111,971.85万元，同比增长75.86%；实现归属于上市公司股东的净利润-14,244.42万元，同比减亏幅度达46.40%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-18,279.28万元，同比减亏幅度达31.27%；经营活动产生的现金流量净额为83,864.40万元，同比增长3.41%。

未来展望：

(一)行业格局和趋势

    1、行业竞争格局

    2026年及未来，半导体行业将进入在周期波动中孕育结构性机遇、在地缘博弈中重构全球格局、在技术创新中重塑竞争规则的关键变革期。在人工智能算力浪潮与全球数字化经济的双重驱动下，全球半导体产业正站在历史性变革的临界点。根据WSTS（世界半导体贸易统计组织）预测，2026年全球半导体市场销售额将达到9,750亿美元，同比增长26.30%；SEMI（国际半导体产业协会）近期在SEMICONChina2026更是预测，原定2030年才会达到的万亿美金市场规模，有望于2026年底提前到来。面对行业变革，市场参与者需以更宏观的视野审视发展趋势，在技术演进、市场布局和供应链韧性之间寻求动态平衡，方能在新一轮产业变革中行稳致远。国际层面，信越、SUMCO、台积电、英飞凌、稳懋等国际巨头，凭借长期的技术积累、庞大的产能规模、完善的全球供应链体系及强大的品牌影响力，在高端半导体硅片、先进制程芯片、高附加值功率器件及化合物半导体高端产品领域依然占据主导地位，牢牢掌控着行业核心技术话语权和主要市场份额，形成了较高的行业竞争壁垒。

    国内层面，随着国家半导体产业支持政策的持续落地、国产替代需求的不断释放，国内半导体企业快速崛起，逐步突破核心技术瓶颈，在中低端产品领域已实现全面进口替代，在中高端产品领域的市场份额持续提升，行业内孕育着多重发展机遇。当前，行业竞争已从单纯的价格竞争，向技术工艺升级、产品高端化、场景定制化及全产业链协同的综合竞争转变，具备全产业链垂直整合能力、核心技术实力和优质客户资源的企业，将在行业集中度持续提升的过程中脱颖而出，进一步巩固行业地位，同时也能更好地把握国产替代带来的发展红利。

    各细分领域格局各具特色，且均蕴含显著发展机遇：

    半导体硅片行业，国际巨头仍占据全球主要市场份额，国内企业已实现中低端硅片进口替代，高端12英寸硅片逐步打破海外垄断，尤其AI相关硅片的出货量将迎来大幅增长。据行业资料显示，AI服务器对12英寸硅片的需求量约为通用型服务器的3.8倍，同等存储容量的HBM对12英寸硅片需求量是主流DRAM产品的2倍。SEMI（国际半导体产业协会）预计，2030年全球半导体硅片市场规模有望超过200亿美元，行业增长空间广阔。

    功率半导体行业，国内企业数量较多、市场竞争充分，但具备车规级认证、掌握新能源大功率器件核心技术的企业较少，行业集中度正逐步提升。行业国产替代已从“中低端替代”向“高端突破”转型，新能源汽车、储能将持续拉动功率器件需求。据行业测算，车规级功率器件市场规模预计2026年达150亿美元，同比增长25%，增长潜力显著。

    化合物半导体行业，国际巨头主导高端市场并占据主要市场份额，国内企业凭借在VCSEL、卫星射频芯片、碳化硅基GaN等特定细分领域的技术突破，逐步实现进口替代，供应链全面国产化成为国内企业的差异化竞争优势。根据Yole报告，全球化合物半导体器件市场正以近13%的复合年增长率快速增长，增速约为整体半导体市场的两倍，市场规模预计将从2024年的120亿美元增长至2030年的250亿美元。行业增长核心驱动清晰：新一代通信与卫星直连技术普及，带动HBT、pHEMT、BiHEMT等射频器件需求快速提升；AI数据中心与算力爆发，拉动VCSEL、InP激光器等光互联核心器件规模增长；高阶自动驾驶与智能驾驶普及，推动VCSEL、GaN-on-SiCHEMT等关键器件广泛落地；低轨卫星与太空经济加速发展，使GaN-on-SiCHEMT成为星载通信与功率系统的理想选择。智能驾驶、低轨卫星、AI机器人等新兴场景将推动化合物半导体需求持续爆发，其中VCSEL芯片市场规模预计2026年达27亿美元，同比增长50%，为国内相关企业带来核心发展机遇。

    2、行业发展趋势

    在AI算力以及全球数字化经济驱动下，全球半导体产业迎来了历史性时刻，市场增长动力正从传统的消费电子单一驱动，转向人工智能、汽车电动化与智能化、能源转型等多重引擎共同拉动的新趋势。

    （1）AI算力成为核心增长引擎，产业增长逻辑发生根本性转变

    人工智能正推动半导体行业实现史无前例的增长，传统周期性波动规律被打破，行业进入由技术驱动的结构性增长新纪元。2026年全球AI基础设施支出预计将达到4,500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%，由此拉动GPU、HBM及高速网络芯片的强劲需求，而这最终都转化为对晶圆厂和先进封装以及设备和材料的强劲需求。

    （2）存储产业战略地位跃升，技术迭代重塑供应链格局

    存储器已成为AI基础设施的核心战略资源，2026年全球存储产值预计突破5,500亿美元，成为半导体第一增长极。高带宽存储（HBM）市场呈现爆发式增长，2026年HBM市场规模预计增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成。然而，需求的激增导致严重的供需失衡，供需紧张引发的涨价将成为2026年市场常态，对整个半导体产业链的议价能力和资源配置产生深远影响。

    （3）先进制程与先进封装双轮驱动，技术创新进入深水区

    随着2nm及以下制程逼近物理极限，行业面临量子隧穿与栅极控制难题，GAA（全环绕栅极）晶体管架构边际效益递减，单座2nm晶圆厂建设成本超250亿美元，逼近7nm时代的3倍。在此背景下，先进封装的战略地位凸显，“先进制程+先进封装”的双轮驱动，从系统层面推动产业升级。SEMI数据显示，2020年至2030年间，中国晶圆产能将从490万片增至1,410万片，增长近两倍，全球市场份额从20%升至32%。2028年全球将新建108座晶圆厂，其中亚洲占84座，中国独占47座，超过亚洲新增产能的一半。

    （4）国产替代进程持续深化，全供应链国产化成为核心导向

    国家持续加大对半导体产业的政策支持力度，国内晶圆厂本土化采购需求迫切，国内半导体企业在核心材料、器件、芯片等领域的替代空间巨大，将持续受益于国产替代红利，逐步实现从“中低端替代”向“高端突破”的跨越，这为国内龙头企业扩大市场份额、提升行业地位提供了重要机遇。

    (二)公司发展战略

    半导体产业作为技术、资本、人才高度密集的高端制造领域，是支撑国民经济高质量发展、保障国家科技安全的核心战略支柱，亦是全球科技竞争与合作的核心阵地。立昂微作为行业内少数实现硅片到芯片一站式制造的平台型企业，拥有全链条核心技术与制造能力，始终秉持“国之大者”的使命担当，依托自身全产业链优势，确立“创新驱动、全链引领、高端突破、国产替代”的核心发展战略，锚定“全球领先的半导体全产业链企业”长期目标，推动三大板块协同发展、向高端领域突破，深度融入国家半导体产业战略规划，在新兴高景气赛道实现全链条产品覆盖，构建差异化核心竞争力，争做全球半导体细分领域的核心供应商。

    三大业务板块作为公司发展的重要支撑，定位清晰、互补赋能，精准契合行业发展趋势：半导体硅片作为算力基石，受益于AI服务器、高性能计算对高端硅片的刚性需求，以及汽车电动化带动下车规级硅片的爆发式增长，市场空间持续拓宽；功率器件芯片作为能源心脏，直接推动新能源汽车、储能、智能电网等绿色能源产业普及，是达成“双碳”目标的重要保障；射频及光电芯片作为连接未来的关键，是新一代通信、智能驾驶、光通信、无人机等未来无线连接和感知领域的核心硬件，成长空间广阔。

    未来，公司将聚焦三大板块，精准发力、梯次推进，筑牢全产业链发展根基：硅片板块，持续稳固重掺领域的绝对领先地位，凭借技术研发、品牌口碑、销售渠道及专业服务的深厚积累，加快12英寸轻掺硅片量产商业化步伐，推动全尺寸硅片向高端化、规模化转型，进一步提升市场占比，增强行业话语权；功率器件芯片板块，持续提升车规级产品比重，加速SGT、SJMOS、FRD等高端产品研发量产，优化产品矩阵，巩固并扩大在新能源与工业控制领域的市场份额及影响力，打造细分领域标杆；化合物半导体射频及光电芯片板块，加快产能释放，全力拓展高速VCSEL、GaN-on-SiC等高端产品市场，聚焦核心技术突破与产品迭代，抢占高端市场发展先机。与此同时，公司将深化三大板块协同价值，以上游硅片为核心起点，构建可同步为客户提供高效能功率芯片与先进射频及光电芯片的垂直整合平台。依托独特的平台化优势，充分发挥全链条协同的综合效能，精准捕捉三大细分行业交叉领域机遇（如智能汽车领域的全品类核心产品需求，同时覆盖硅片、功率器件、射频及光电芯片），最大化释放协同潜力；同时推进技术、产能、供应链深度融合，凭借清晰的产品定位与精准的市场布局，构建稳定高效的营销体系，实现营收与利润稳步增长，强化抗风险能力与长期发展动力。

    此外，公司将通过资本化运作、规模扩张等多元方式优化产业布局，快速提升综合竞争力，为国家半导体产业自主化发展注入核心力量，力争成为行业公认的、兼具稀缺性与成长性的半导体全产业链核心企业。

    (三)经营计划

    围绕公司整体发展战略，2026年公司将聚焦核心技术突破、产能高效释放与市场纵深拓展，通过持续的管理优化与系统协同，推动高质量发展。

    1、聚焦研发攻坚，巩固技术领先优势

    公司将保持高强度研发投入，聚力突破关键领域技术瓶颈。在半导体硅片业务方面，重点推进12英寸轻掺产品产能爬坡与更先进制程突破，加大超低阻单晶等核心工艺研发。在功率器件芯片业务方面，着力攻克SGT、IGBT、碳化硅基功率芯片、车规级模块及新一代新能源器件的关键技术。在射频及光电芯片业务方面，全力推动VCSEL、GaN-on-SiC等高端工艺的客户导入与量产，优化现有射频工艺平台。公司将完善研发项目制与激励机制，加速技术成果向量产与市场转化。

    2、推动产能释放，提升规模效应

    公司将科学推动重点产线（衢州、嘉兴12英寸硅片产线，海宁射频产线）的产能建设与达产增效，确保产能精准匹配市场需求。通过深化精益生产、智能化改造与供应链协同，持续优化核心设备效率、降低单位生产成本、提升产品良率与综合盈利能力。

    3、深化客户合作，拓展高端市场份额

    公司将进一步深化与现有战略客户的绑定，从供应链合作升级为联合创新。同时，全力开拓AI服务器电源、卫星互联网、人形机器人、低空经济等新兴高端市场。通过优化销售策略、强化大客户服务模式，提升高附加值产品的市场份额与客户黏性，优化全球市场布局。

    4、强化内部治理，提升组织效能

    公司将通过持续的组织与流程优化，提升跨部门协同效率。强化全面预算与成本精细化管控，提升资金使用效益。全面推进数字化、智能化建设，赋能质量管控、生产追溯与科学决策。完善人才引育留用机制，构建多元化激励体系，激发组织创新活力。

    5、保障供应链安全，构建产业生态

    公司将持续推进关键设备、原材料的国产化验证与导入，优化供应商结构，深化与核心伙伴的战略合作。通过上下游协同研发与标准共建，提升产业链话语权，构建自主可控、富有韧性的供应链体系。

    6、提升投资者回报，强化市场沟通

    公司将以稳健的业绩增长为基础，合理制定股东回报计划。严格执行信息披露规定，丰富投资者沟通渠道，积极传递公司价值，增进市场认同，并持续完善治理结构，保障公司规范、透明、高效运作。

    (四)可能面对的风险

    1、行业周期波动风险

    半导体行业具有周期性特征，若未来出现行业下行，可能导致公司产品需求与价格承压，对经营业绩产生影响。

    公司将通过持续优化产品结构，提升高端产品占比；深化全产业链协同，增强整体抗风险韧性；积极拓展新能源、消费电子、新一代通信、卫星互联网、智能驾驶、机器人、航空航天、防卫等多元化市场与客户群，以平滑单一行业波动影响。同时，加强市场研判，动态调整产能与库存策略，实现灵活、精准的运营管理。

    2、技术迭代风险

    行业技术快速演进，若未能及时跟进或突破关键方向，可能导致技术落后与产品竞争力下降。

    公司将持续保持高强度研发投入，完善创新体系，并积极引进高端研发人才。通过深化与高校、科研机构及下游客户的合作，紧密跟踪技术趋势，聚焦GaN-on-SiC、VCSEL、高端硅片等核心领域进行攻关。建立研发与市场的联动机制，确保技术方向与客户需求、产业演进同步。

    3、市场竞争风险

    面对国际巨头与国内同行的竞争，公司可能面临市场份额与毛利率的压力。

    公司将充分发挥全产业链整合与核心技术领先的双重优势，打造差异化竞争壁垒。通过加快高端产品量产、深化与战略客户的长期合作、持续推进精益生产与成本优化，巩固并提升市场地位。各业务板块将实施针对性策略：射频芯片业务依托VCSEL、卫星射频芯片等技术领先优势拓展高端市场与海外客户；功率芯片业务聚焦车规、储能等高附加值领域，提升盈利结构；硅片业务则通过强化12英寸及特色产品技术能力与服务，深化大客户绑定。

    4、人才短缺风险

    半导体行业人才竞争激烈，核心人才的流失或储备不足可能影响研发与运营的持续性。

    公司将系统完善“引、育、留、用”机制，提供具有竞争力的薪酬福利与职业发展平台，并推行股权激励、项目激励等多元激励方式。通过建立健全的内部培训体系与梯队培养计划，持续提升员工专业能力，保障关键人才的稳定与供给。

    5、原材料价格波动风险

    主要原材料价格若出现大幅波动，可能对公司生产成本与盈利能力带来影响。

    公司将通过深化与核心供应商的战略合作、持续推进原材料国产化与供应商多元化、优化采购策略与库存管理等方式，有效管控采购成本，增强供应链应对价格波动的韧性。

    6、财务风险

    1）存货减值的风险

    截至2025年12月31日，公司存货余额168,609.68万元，存货跌价准备21,344.55万元，存货账面价值较高，存货跌价准备的增加对财务报表影响较为重大。公司所处行业为半导体行业，产品价格受行业周期性波动的影响较为明显。如行业竞争加剧，出现产品价格持续大幅波动，公司存货存在减值增加的风险。

    2）权益投资的公允价值波动的风险

    截至2025年12月31日，公司以公允价值计量的权益投资账面价值为13,481.98万元，其中10,481.98万元系公司直接持有的上市公司芯联集成的股权对应的价值，3,000.00万元为公司持有的非上市公司的股权投资对应的价值。若未来宏观经济、市场环境、产业政策等外部因素，或权益投资标的自身经营状况发生重大变化，公司权益投资的公允价值存在发生较大波动的风险。

    3）商誉减值风险

    截至2025年12月31日，公司合并报表商誉账面价值为4,776.62万元，系公司并购嘉兴金瑞泓时形成。嘉兴金瑞泓目前的经营状况稳定，报告期内其商誉未发生减值。若未来宏观经济、市场环境、产业政策等外部因素发生重大变化，对嘉兴金瑞泓的经营状况造成不利影响，公司将存在商誉减值的风险。

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