艾森股份（688720）2025年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期艾森股份（688720）发布2025年年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明

    (一)主要业务、主要产品或服务情况

    1、主要业务基本情况

    作为国内半导体材料领域的领军企业，公司始终锚定关键电子化学品自主研发与产业化应用赛道，以技术创新为核心驱动力深耕行业多年。凭借持续高强度的研发投入与关键技术突破，公司已构建起覆盖半导体全产业链的材料解决方案体系，不仅在半导体封装化学品领域实现对国外供应商的规模化替代，成长为国内市场的核心主力供应商，更在晶圆制造领域已实现深度卡位，通过电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂两大核心业务板块，为先进制程芯片制造提供关键材料支撑，同时逐步向半导体显示及IC载板等高附加值领域延伸。目前，公司已成为国内少数具备半导体封装、晶圆制造和半导体显示全链条电子材料供应能力的企业，为我国半导体产业的自主可控发展提供关键支撑。

    2、主要产品基本情况

    （1）电镀液及配套试剂

    在电镀液及配套试剂领域，公司通过持续的技术创新，产品性能指标已达到国际一流水准，部分关键参数实现行业领先，成功打破国外厂商长期垄断的市场格局，成为行业的引领者。目前，公司电镀液产品已构建起丰富且极具竞争力的产品矩阵，在传统封装和先进封装领域均实现了全品类覆盖，并成功实现晶圆28nm、5-14nm先进制程等高端应用领域的市场突破。

    1电镀液

    电镀液是半导体制造过程中的核心材料之一，由主盐、导电剂及多种功能性电镀添加剂组成，其中电镀添加剂是调控镀层均匀性、致密性及微观形貌的关键核心，直接决定电镀工艺的最终性能表现。随着半导体器件特征尺寸持续微缩至5nm及以下制程，以及先进封装技术如3DIC、Chiplet的快速迭代，不同应用场景对电镀液的配方精准度、杂质控制水平及性能适配性提出了严苛要求。公司凭借深厚的技术积累，打造了覆盖传统封装、先进封装、晶圆制造及玻璃基板、IC载板、HDI等全应用领域的电镀液产品矩阵，可针对不同工艺节点与封装形式提供定制化解决方案，满足半导体产业链各环节的高端制造需求。

    传统封装领域，公司的电镀液产品主要应用于芯片引脚表面镀锡，主要为基于甲基磺酸的电镀体系。作为业务起点，公司传统封装用电镀液产品已完成全面国产化替代。引脚线镀锡电镀液系列产品市场占有率持续领先，确立了公司在传统封装材料市场的主导地位。

    先进封装领域，随着集成电路向高密度、高性能方向演进，先进封装技术成为产业升级的核心驱动力。互连层数的持续增加，以及RDL（再布线层）、铜柱等结构的广泛应用，推动铜互连材料需求快速增长；同时，2.5D/3D集成封装（包括HBM封装、CoWoS封装等形式）、混合键合（HybridBonding）、玻璃基板封装等尖端技术路线不断涌现，对电镀材料的配方精准度、工艺适配性提出了严苛要求。公司前瞻性布局先进封装全工艺链条，构建起覆盖硅通孔（TSV）、再布线层（RDL）、微凸点（Bumping）等核心工艺的完整产品矩阵。目前，高纯硫酸铜基液已实现先进封装头部客户的稳定供应，另有多项前沿产品已进入商业化关键阶段：电镀锡银添加剂（包括超低α粒子的锡浓缩液、锡阳极）小批量稳定量产，并在多家头部客户同步验证中；电镀铜添加剂处于关键批次稳定性验证阶段；TSV电镀添加剂在客户端测试验证中。

    晶圆制造领域，全球半导体产业加速向5nm及以下先进制程演进，晶圆制造关键材料国产替代需求愈发迫切，大马士革工艺是实现高密度铜互连的核心技术，直接决定芯片的性能与良率。公司大马士革电镀铜添加剂覆盖7–55nm全制程节点，确保铜互连具有优异的填充能力与低缺陷率，可满足不同客户的工艺需求；针对5–14nm节点对互连阻抗和可靠性的更高要求，公司钴制程电镀液提供优异的电迁移耐受性与界面稳定性。目前公司28nm大马士革铜互连工艺镀铜添加剂，5-14nm钴制程电镀基液已在主流晶圆客户端小批量量产中，同步在头部存储客户端验证顺利；适应不同深宽比孔型的TSV工艺高速镀铜添加剂也在客户端验证中。

    HDI、IC载板、玻璃基板领域，随着AI芯片、汽车及消费电子驱动先进封装需求攀升，其市场规模也快速扩容。公司精准把握技术升级与国产替代的双重市场机遇，将电镀铜产品逐步推向HDI、SLP、IC载板、玻璃基板等高端应用领域，有效提高国产化率。目前，公司快速填孔镀铜产品已成功导入头部HDI和SLP供应链，实现批量供货。针对IC载板兼具高均匀性与精细图形能力的电镀工艺要求，公司专门开发了高均匀性填孔电镀液，可同时满足微孔填充与图形电镀的双重需求，大幅提升产品一致性与良率。公司MSAP用电镀配套试剂已在IC载板客户端实现批量供货，MSAP用填孔镀铜产品目前正处于IC载板客户端测试阶段；公司TGV镀铜添加剂应用于玻璃基板通孔技术中，亦在配合头部玻璃基板客户测试。

    凭借持续的技术积累和突破，公司产品能够在不同制程节点和封装形式下为客户提供稳定、优异的电镀性能支持，助力半导体产业向更高性能、更高集成度、更高自主可控水平持续迈进。②配套试剂

    集成电路或电子元件在进入电镀前的加工处理和清理工序总称为电镀前处理。公司提供的电镀前处理化学品包括祛毛刺液、除油剂、活化剂等。在电镀后的加工处理和清理工序总称为电镀后处理。公司提供的电镀后处理化学品包括中和剂、退镀剂等。

    晶圆制造大马士革铜互联制程中，大马士革电镀后通过CMP（化学机械研磨）平坦化，研磨后需要清洗表面去除研磨粒子和其他颗粒。公司应用在技术节点28nm铜制程清洗液已进入量产放大阶段；新一代PCMP产品应用于技术节点7nm钴先进制程清洗液在客户端验证阶段。

    （2）光刻胶及配套试剂

    公司构建了从特色光刻胶、光刻胶核心原材料到配套试剂的完整研发制造体系，产品覆盖半导体全产业链应用场景，多项技术填补国内空白。

    ①光刻胶

    光刻胶按应用领域可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶和集成电路光刻胶（含先进封装、晶圆制造），其技术壁垒依次提升。国产光刻胶发展起步较晚，目前仍以PCB光刻胶、TFT-LCD光刻胶等中低端产品为主，集成电路光刻胶及OLED显示面板光刻胶长期被国外企业占据。

    公司以先进封装光刻胶、晶圆制造PSPI以及OLED阵列制造用光刻胶等特色工艺光刻胶为突破口，覆盖晶圆制造、先进封装及显示面板等应用领域，成功打破国外垄断，并逐步向先进制程延伸，如ICA光刻胶、KrF光刻胶等。

    先进封装领域，公司凭借技术与客户资源优势，已构建起极具竞争力的光刻胶产品矩阵，涵盖可应用于GHI-line、I-line光源的光刻胶产品，包括正性、化学放大型光刻胶及负性光刻胶，不同产品膜厚兼容7-300μm，在Bumping、RDL、TSV、finepitchRDL、μBumping、μPad、Mega-Bumping等先进封装核心工艺环节，正稳步构建光刻胶全场景产业化覆盖能力。同时，公司正加速推进用于Bumping、WLCSP、2.5D/3D封装的PSPI的验证与量产，产品包括高温固化、低温固化、超低温固化系列，其中低温PSPI在客户端小量产中，具备低应力、高可靠性及高分辨率的PSPI产品在客户端验证中。公司目标成为国内先进封装光刻胶和PSPI领域的主力供应商，全面提升国产光刻材料的市场渗透率。

    晶圆制造领域，具有化学放大效能的I-Line光刻胶系列产品及可应用于功率器件的PSPI已实现小批量供货，并同步在多家头部客户，包括存储芯片厂商推广验证中。高深宽比KrF光刻胶（深宽比达13:1）目前在客户端验证阶段，在高厚膜下，通过优化树脂和PAG，提升分辨率，相应提高光刻胶深宽比，主要应用在CIS芯片、存储芯片中，力求填补国内空白。

    半导体显示领域，公司OLED阵列用高感度PFASFree正性光刻胶，已顺利通过了头部面板客户的验证，并取得小批量量产订单，在多家OLED显示客户端同步验证中。另外公司在特色工艺光刻胶领域取得突破：负性光刻胶已成功拓展至玻璃基封装应用场景，获得头部客户量产订单。②配套试剂

    先进封装要求在晶圆划片前融入封装工艺步骤，具体包括晶圆研磨薄化、RDL、Bumping及TSV等工艺技术，涉及与晶圆制造相似的涂胶、显影、去胶、蚀刻等工序步骤。公司应用于先进封装领域光刻胶配套试剂已形成规模化供应，主要产品包括附着力促进剂、显影液、蚀刻液、去除剂等。

    在晶圆制造领域，公司针对先进技术节点，用于光刻胶干法蚀刻后残留物去除的清洗液（PERR），适用铜/钴互联制程，正在晶圆客户端验证中。

    ③光刻胶用树脂

    感光树脂构成光刻胶的基本骨架，主要决定曝光后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、曝光前和曝光后对特定溶剂的溶解度。公司由自研树脂团队开发光刻胶用树脂，形成了从树脂分子结构设计、合成、纯化，到光刻胶配方开发、工艺验证的完整全链条研发制造体系，确保后续产品供应的自主可控与稳定性。目前公司自研光刻胶用树脂覆盖多品类需求：包括负性光刻胶的丙烯酸树脂，化学放大光刻胶和KrF光刻胶的聚对羟基苯乙烯树脂，PSPI光刻胶的聚酰胺酯/聚酰胺酸/PBO树脂，以及TSV等特殊应用的化学放大光刻胶酚醛改性树脂等，为光刻胶产品的性能提升与成本控制奠定核心基础。

    （3）电镀配套材料

    除电子化学品外，公司还可以提供电镀工艺配套的锡球、镍饼等阳极金属材料及阳极袋、退镀用胶条等辅材，以满足客户的整体需求。公司销售的锡球主要采用外协加工模式。

    (二)主要经营模式

    1、销售模式

    公司产品销售为直销模式。公司建立了较为完善的市场营销体系，与国内多家知名半导体封测厂商、晶圆制造厂商建立了长期、稳定的合作关系。公司的产品销售流程包括了解客户需求、取得测试机会、通过客户认证、通过终端客户测试（如有）、小规模量产（如有）及批量供货。公司有能力为客户提供Turnkey整体解决方案，即除了提供实现特定功能相匹配的电子化学品及配套材料外，还能够提供与产品相适应的应用工艺方案和技术支持等，使得相关产品能够适配不同客户的产线标准和生产工艺，满足下游产品的功能、质量要求。

    按照公司向客户交货及结算模式，可以分为非寄售模式和寄售模式两类。非寄售模式下，根据销售合同或订单约定，公司将商品发运至客户指定地点并经客户确认收货时实现销售；寄售模式下，公司根据销售合同或订单的约定将商品发运至客户指定地点，在客户实际领用时实现销售。

    2、采购模式

    采购环节是公司品质控制和成本控制的关键环节。公司制定了《采购控制程序》《供应商管理办法》等制度对采购活动进行严格控制。

    采购管理部负责开发供应商，组织对供应商的评审，建立合格供应商名录和档案，定期对供应商进行评定，及时调整合格供应商名单，实施动态管理。采购部门根据产品生产计划、库存情况、物料需求等向供应商下发采购订单。公司基于市场行情、向供应商询价以及商业谈判的方式最终确定采购价格。

    3、生产模式

    公司主要按照以销定产的总体原则安排生产计划，分为按计划生产和按需生产两种生产模式。在按计划生产的模式下，公司根据客户销售需求，综合考虑安全库存量和生产能力，制定生产计划。计划人员会根据近三个月的销售情况与销售部门确认后制定生产计划，一般情况下公司制定的生产计划能够满足客户的定期下单需求。按需生产的模式，是指在客户临时加单的情况下，公司根据临时加单的需求，针对性安排额外的生产计划。

    4、研发模式

    公司研发流程主要包括以下过程：

    （1）研发立项阶段

    研发部门设立年度/月计划，以对研发项目实施总体规划。研发项目因市场调研情况及产品规划开立课题，由各产品事业部或研发部负责人收集信息、分析需求，并出具相关的需求报告，经研发总监或总经理审核通过后提交管理层会议审议，审议通过后进行相应的项目立项。项目通过可行性评估后，签发研发任务给到研发部。研发部负责人确定项目负责人，研发任务转化为研发计划。

    （2）研发需求确认阶段

    项目负责人根据研发计划的规划，确定研发的需求，主要包括以下内容：①产品的主要性能指标，主要来源于应用需求；②法律法规及国家相关强制性标准；③历史类似研发项目积累的适用信息；④新产品安全性和适用性至关重要的特性要求，如安全、包装、运输、贮存、环境、卫生等。

    （3）产品设计及实验室小试阶段

    项目负责人根据研发需求，在实验室内组织开展配方设计及测试评估工作，并根据测试结果优化调整配方。

    （4）样品试制及研发验证阶段

    研发部组织有关部门评审研发项目的阶段性结果。研发部负责人负责审核样品试制技术要求，并核准试制样品。试制完成的样品由研发部安排进行产品性能验证，样品检验合格的进入下一研发阶段。如不合格，研发部门分析技术原因，并重新试制或变更配方设计。

    为确保产品能够满足客户的使用及预期用途要求，公司送样至客户现场，使用客户的产线资源对样品进行验证。

    （5）中试及产品认证阶段

    研发部门完成工艺标准和控制标准的制定，并根据研发验证结果持续优化和调整产品，直至研发成果通过客户实际产线测试，完成最终产品认证。

    (三)所处行业情况

    1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

    公司产品广泛应用于集成电路、半导体显示及新型电子元器件等行业。按照行业的一般分类标准，公司所处行业为半导体材料行业。

    1、行业发展阶段

    当前中国半导体材料行业整体处于由中低端替代向高端突破演进的关键阶段，也是国产化替代的黄金期。在政策支持、产业链自主可控需求及下游晶圆厂扩产的多重驱动下，国产化进程明显提速。在封装材料领域，传统封装材料基本实现国产化，而先进封装用光刻胶、TSV填充材料、玻璃基板等成为新一轮技术竞争焦点。在制造材料领域，湿电子化学品、CMP材料等已实现14nm及以上节点的批量供应，部分产品进入7nm制程验证阶段。

    公司所聚焦的光刻胶与电镀液，正是国产化率最低、技术门槛最高的“卡脖子”环节之一。公司通过持续研发投入与技术攻关，目前在先进封装光刻胶、晶圆制造电镀液等领域已实现从“0到1”的突破，正迈向规模化替代的新阶段。随着存储芯片行业景气度的持续提高以及国内厂商国产替代进程的持续加速，上游材料环节迎来量价齐升机会，公司电镀液和光刻胶处于国内第一梯队将直接受益。

    2、行业基本特点

    公司所处的半导体材料行业，始终是国家重点支持与鼓励发展的战略性行业。国家通过“十四五”“十五五”规划将新材料尤其是半导体关键材料列为战略攻坚方向，加速推进国产化，推动供应链自主可控。在产业政策的有力引导下，行业将迎来更为广阔的发展空间，为企业创新发展和产业升级提供坚实保障。半导体材料处于整个电子产业的最上游，具有技术壁垒高、研发投入大、认证周期长、客户粘性强等特点。发展受下游应用如AI、自动驾驶、数据中心等新兴需求驱动，呈现持续迭代趋势。

    3、主要技术门槛

    半导体材料作为集成电路制造的基础支撑产业，是典型的技术密集型行业。其技术壁垒贯穿材料研发、生产制备、客户验证及供应链协同全流程，核心体现为对材料性能极致化、生产工艺精细化、质量控制严苛化的要求，以及由此延伸的认证、资金、知识产权等多重门槛，共同构成行业准入的核心壁垒。

    ①复杂的化学配方与材料设计

    光刻胶需在特定波长光照下实现精确的溶解度变化，其配方由光引发剂、树脂、单体、溶剂和助剂组成，各组分比例需精细调控。研发高度依赖“试错式”实验积累。电镀液用于铜互连、凸点封装等关键工艺，需实现高深宽比结构的无空穴填充。其添加剂体系（如加速剂、抑制剂、均镀剂）需协同作用，确保沉积均匀性与致密性。例如，28nm以下制程要求电镀铜层在深宽比达10:1以上的通孔中完全填满，对配方调控精度要求极高。

    ②极致的纯度与稳定性要求

    光刻胶中金属离子含量必须控制在ppb级甚至ppt级，否则会引入杂质导致芯片电学性能下降。例如，适用于晶圆制造的光刻胶产品对金属离子含量要求可达到低于1ppb，需通过多级提纯与超净环境生产实现。电镀液中的微小颗粒或有机污染会导致镀层缺陷，影响互连可靠性。生产过程需在Class10以下超净车间进行，并配备在线过滤与实时监测系统，确保批次间一致性。③严苛的工艺适配与客户认证周期

    半导体材料需通过下游芯片制造企业的严格认证才能进入供应链，认证周期通常为2-5年，涵盖小批量试产、中试验证、可靠性测试及量产稳定性考核等环节。客户需对材料的纯度、批次稳定性、工艺兼容性及长期可靠性进行全场景测试，对于28nm以下先进制程材料，认证更为复杂，往往需与芯片厂联合调试，完成数十轮工艺适配与配方优化，确保材料能精准匹配产线工艺窗口。一旦通过认证，客户不会轻易更换供应商，避免工艺波动与良率风险，这种高粘性格局，使得现有供应链极为稳固，新进入者面临巨大突破难度。

    ④高昂的研发投入

    一是研发周期跨度长，多数项目从立项到商业化落地需3-5年，部分技术难度高项目周期超5年，持续技术攻关、方案迭代与反复性能测试，均需稳定的资金供给以保障研发连续性；二是研发团队规模大，涵盖基础研究、应用开发、测试验证等全流程专业人才，且人才激励投入高；三是核心实验设备成本高，光刻机、电化学工作站等高精度仪器设备购置及维护、校准、升级需长期资金保障；四是研发耗材消耗大，专用耗材单价高、消耗快，尤其是在实验验证阶段消耗量剧增。

    ⑤严密的专利与技术封锁

    国际巨头在半导体材料领域布局了密集的知识产权网络，涵盖材料配方、制备工艺、应用技术等多个维度，拥有数千项核心专利，形成严密技术护城河。国内企业需通过自主研发突围，公司已累计申请光刻胶相关发明专利72项（授权35项），覆盖负性光刻胶、PSPI、KrF等高端产品线。伴随摩尔定律推进，芯片制程持续升级，材料技术需同步迭代，企业需持续研发以保持领先，知识产权壁垒也随技术演进不断强化。

    尽管门槛森严，但在国产替代加速背景下，公司在先进封装和晶圆制造用电镀液与光刻胶领域已实现突破，部分产品进入批量供应阶段，逐步打破海外垄断格局。

    2、公司所处的行业地位分析及其变化情况

    公司作为第一批国家级专精特新“小巨人”企业，目前已是国内半导体材料领域的核心供应商。公司聚焦“电镀液+光刻胶”双核心赛道，在国产化率最低、技术壁垒最高的关键环节持续突破，成为高端电子化学品国产替代的核心力量。

    电镀液业务是公司的业绩基本盘，在封装领域市占率约30%，牢牢占据市场主导地位，在先进封装领域，公司能够提供从电镀液到配套试剂的整体解决方案，产品覆盖HBM、3D堆叠芯片等高端封装形式的核心工艺环节，可满足凸块制作、通孔填充、铜互连等复杂制程需求。凭借“电镀+光刻”双工艺协同优势，公司深度绑定国内先进封装龙头企业，成为先进封装领域电镀液的主力供应商之一，充分受益于高算力需求驱动的先进封装市场扩容。在晶圆制造领域，公司已跻身国内电镀液供应商第一梯队，尤其在先进制程领域处于国内前列，产品覆盖28nm、14nm及以下先进制程的全链条需求，主要服务于国内头部晶圆厂和存储厂。

    光刻胶业务是公司的核心增长极，在先进封装光刻胶领域，公司已构建完整产品矩阵，是国内该领域的龙头企业；在晶圆制造光刻胶领域，公司是国产化的开拓者，正性PSPI实现国内首例量产，多款高端光刻胶产品填补国内技术空白，进一步提升了公司在晶圆制造光刻胶领域的话语权。目前，AI芯片、高带宽存储（HBM）、数据中心光互联（CPO）等市场持续快速扩张。在三维集成与先进封装行业的高速发展下，先进封装对光刻胶及配套试剂的需求逻辑已发生根本性转变。过去，光刻胶需求主要跟随封装产量线性增长；如今，堆叠层数每翻一番，光刻工艺次数便大致翻倍，形成超线性增长的乘数效应。HBM正从8层向12层、16层演进，SK海力士已展出全球首款16层HBM4样品。每一层DRAM堆叠都需要独立的光刻工艺，堆叠层数的指数级增长，直接驱动光刻胶及配套试剂的需求量呈超线性扩张。先进封装对光刻胶及配套试剂的需求逻辑，已从线性增长彻底转向以堆叠层数为自变量的超线性扩张新范式。而当前国内半导体光刻胶的国产化率不足20%，先进封装和晶圆领域先进节点的光刻胶基本被国际巨头垄断，国产替代需求迫切。公司凭借在光刻胶领域的技术突破和产品布局，成为国产替代浪潮中的核心受益企业。随着公司产品在先进封装、晶圆制造和显示面板等领域的持续渗透，以及产能的不断扩张，市场份额有望进一步提升。

    根据国际半导体产业协会（SEMI）的数据，在半导体市场复苏行情下，以及高性能计算（HPC）和高带宽内存（HBM）等领域对先进材料的需求增加，2024年全球半导体材料市场规模预计达到674.7亿美元，同比增长3.8%。其中，晶圆制造材料市场规模为428.9亿美元，同比增长3.3%，封装材料市场规模为245.8亿美元。预计2025年全球半导体材料市场将增长5.4%，市场规模约711.3亿美元，其中，晶圆制造材料市场规模约增长5.5%，达到452.2亿美元，封装材料市场规模约259.1亿美元，增长5.4%。国内集成电路产业在汽车电子、消费电子、人工智能等的应用牵引下，2024年保持快速增长态势。

    ①集成电路湿电子化学品

    公司的电镀液、光刻胶及配套试剂主要面向集成电路湿电子化学品市场。随着我国集成电路国产化进程的加深，在半导体工艺持续升级与下游应用领域的蓬勃发展的背景下，我国半导体材料行业将拥有广阔发展前景。根据中国电子材料行业协会（CEMIA）统计数据，2024年中国集成电路用湿化学品总体市场规模达到79.3亿元，同比增长10%，预计2025年将增长至86亿元。其中2024年中国集成电路前道晶圆制造（即前道工艺）用湿化学品市场规模64.5亿元，同比增长9.7%。预计2025年中国集成电路前道晶圆制造用湿化学品市场规模将增长至69.7亿元。2024年中国集成电路后道封装（即后道工艺，含传统封装与先进封装）用湿化学品市场规模14.8亿元，同比增长11.3%，随着晶圆制造工艺的不断提升，对与之配套的封测技术同步要求提高，传统封装技术的发展将趋于平稳，先进封装技术的应用将进一步加强，对湿化学品的需求也将随之增加，预计2025年中国集成电路后道工艺用湿化学品市场规模将达到16.3亿元。

    ②光刻胶市场

    按曝光光源波长划分，光刻胶可分为g线光刻胶（436nm）、i线光刻胶（365nm）、KrF光刻胶（248nm）、ArF光刻胶（193nm）和EUV光刻胶（13.5nm）。根据中国电子材料行业协会的数据，当前我国g/i线光刻胶的国产化率20%-25%，仍处于较低水平，KrF光刻胶整体国产化率约3%，ArF光刻胶整体国产化率不足1%。

    根据中国电子材料行业协会（CEMIA）统计数据，2024年中国集成电路晶圆制造用光刻胶市场规模为53.54亿元，预计到2025年中国集成电路晶圆制造用光刻胶市场规模将达到55.77亿元。其中，2024年中国集成电路晶圆制造用g/i线光刻胶市场规模5.78亿元，KrF光刻胶市场规模24.84亿元，ArF光刻胶市场规模4.43亿元，ArFi光刻胶市场规模10.12亿元，PSPI光刻胶市场规模8.37亿元。

    2024年中国集成电路封装用光刻胶市场规模11.56亿元，预计到2025年市场规模将增长至12.25亿元。其中，2024年中国集成电路封装用g/i线光刻胶市场规模4.86亿元，PSPI光刻胶市场规模4.28亿元，其他光刻胶市场规模2.43亿元。

    2024年中国OLED用光刻胶市场规模1.62亿元，预计2025年中国OLED用光刻胶市场规模将增长至1.95亿元。

    3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

    2025年，中国半导体材料行业在技术突破、产业协同与生态重构的三重驱动下，实现了从“跟跑”向“并跑”的标志性跨越。新技术密集落地、新产业格局成型、新业态模式创新、新发展路径清晰，共同构建起半导体材料国产化的全新增长极。

    ①新技术：随着7nm及以下制程技术瓶颈显现，半导体产业正式进入“材料驱动”时代。HBM3E、Chiplet3D堆叠、CoWoS-L等先进封装技术的商业化应用，直接带动高纯电镀液、TSV/TGV添加剂等材料需求激增。公司构建的RDL/Bumping/TSV全工艺材料解决方案，已覆盖90%以上的国内封装厂，其中多款产品逐步进入规模性商业化阶段，验证周期较行业平均缩短，光刻胶国产化取得实质性进展。

    ②新产业：半导体材料企业加速从“产品供应商”向“系统级解决方案提供商”转型，“材料-设备-工艺”协同开发模式成为行业发展趋势。公司与设备商、晶圆厂联合攻关，通过同步开发材料配方与设备工艺参数，将产品导入周期缩短，并实现在头部客户供应链体系中的关键占位。另外，公司打通传统封装、先进封装与晶圆制造三大应用场景，提供覆盖电镀液、清洗液、光刻胶、配套试剂的全链条产品矩阵，形成难以复制的差异化竞争优势。同时，新材料应用场景不断拓展，产品供应从晶圆厂向存储厂延伸，市场空间得到进一步拓展。

    ③新业态：在国际技术壁垒与贸易摩擦的双重压力下，国内企业探索出“技术换市场”的全新产业范式。公司国际化布局成效显著，“中国研发+东南亚制造+全球销售”模式落地，海外收入占比提升至12.10%。公司与复旦大学、上海交通大学、同济大学、东南大学、北京理工大学、苏州大学等高校进行了一系列的合作，结合高校的人才优势、技术优势及丰富的科研资源，实现了技术、人才、资金和经营管理等要素的最佳组合。

    ④新模式：2025年，半导体材料行业告别“低价竞争”与“MeToo”模式，进入以技术差异化、生态稳定性、供应链安全为核心的高质量发展阶段。国产化路径清晰化：在8英寸硅片、CMP抛光材料、刻蚀液等细分领域已实现进口替代，而在EUV光刻胶、12英寸硅片等高端材料上仍需攻坚，但技术差距正快速缩小。产业生态形成良性循环：在AI、新能源汽车等产业驱动下，下游客户主动加大本土材料供应商扶持力度，推动“验证-导入-放量”周期缩短，“需求拉动-技术反哺”的正循环效应显现。

    二、经营情况讨论与分析

    （一）核心业务板块协同发力，光刻胶及配套试剂收入大幅提升

    2025年，公司实现营业收入5.93亿元，同比增长37.13%；归属于母公司所有者的净利润5,123.78万元，同比增长53.05%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润4,700.36万元，同比增长92.71%，盈利质量持续优化。

    从产品结构看，两大核心业务齐头并进。电镀液业务：传统封装领域优势稳固，先进制程实现关键突破，2025年公司晶圆制造材料业务实现“从零到一”的突破，收入主要来源于先进制程电镀液及清洗类产品，其中28nm大马士革镀铜添加剂和5-14nm钴制程电镀基液已在头部客户实现量产。光刻胶业务：受益于国产替代加速，高端产品批量落地。2025年光刻胶收入3,030.72万元，光刻胶及配套试剂业务同比增长43.54%，增速显著高于整体营收，成为业绩增长的核心驱动力之一。

    （二）持续加大研发投入，先进封装及晶圆制造等应用领域产品进展顺利

    公司锚定半导体材料产业高端化、国产化、全球化发展趋势，紧扣下游晶圆制造、先进封装客户对先进制程材料的迫切需求，制定了未来5-10年研发路线图，聚焦光刻胶技术升级、先进制程电镀液突破、高纯试剂等新品类拓展三大核心方向，致力于从“单一产品供应商”向“综合材料服务商”战略升级，为客户提供从材料选型到工艺优化的整体解决方案；公司坚定实施“研发优先”战略。2025年研发投入6,942.21万元，同比增长51.24%，占营业收入的比例为11.71%，公司研发人员增至101人，同比增长29.49%，研发人员占员工总人数的比例为41.06%，研发实力不断增强。截至2025年12月31日，公司拥有已获授予专利权的发明专利53项，实用新型专利5项，软件著作权1项，2025年，新增授权发明专利15项。

    （三）国际化战略持续深化，业务布局与品牌影响力双提升

    2025年起，马来西亚子公司INOFINE正式纳入合并报表范围，成为公司开拓东南亚及全球市场的核心支点。INOFINE在当地拥有成熟的客户资源与渠道优势，借助其本土团队，公司将光刻胶、电镀液等核心产品推向海外市场，填补东南亚高端半导体材料供给缺口，海外业务成为未来盈利增长的重要部分。2025年，马来西亚业务已贡献公司近8%的营收，客户覆盖X-Fab、HP，以及日月光、长电科技等头部企业的东南亚工厂。未来，公司将以INOFINE为桥头堡，深化渠道建设、扩大国际客户覆盖，并提升全球供应链韧性。

    （四）产能扩张加速，支撑未来增长

    盖光刻胶及配套树脂、电镀液、高纯试剂等产品，将与昆山基地、南通基地、东南亚基地形成“国内+海外”的全球化产能网络，匹配光刻胶、先进制程电镀液等高端产品的市场爆发需求，有效缩短产品交付周期，强化对长电科技、华天科技、通富微电等核心客户的快速响应能力，同时通过光刻胶产业链闭环、先进制程材料配套与现有业务形成深度协同，进一步巩固公司在高端封装光刻胶领域的领先地位，加速国产替代进程，新基地同步设立的光刻胶研发中心将聚焦前沿技术研发，确保产能升级与技术迭代同步推进，实现“技术突破-产能落地-市场扩张”的正向循环，为公司长期高速增长筑牢核心支撑。

    （五）人才队伍建设和长期激励机制落地

    公司持续强化人力资源规划，构建“引-育-留”全链条人才管理体系，通过精准引才、分层育才、长效励才三方面发力，为公司高质量发展注入核心动力。

    公司以战略为导向优化人力资源规划，通过全球猎聘、高校合作、行业举荐等多元渠道，重点吸纳具备国际化视野、跨文化沟通能力的复合型技术人才。同步搭建人才素质数据库，推行面试官专业认证体系，实现人才能力与岗位需求的精准匹配，为公司国际化布局筑牢人才底座。在人才培养方面，公司依托“启航人才计划”“基石铸才工程”“新锐传承计划”等专项项目，针对新员工、骨干员工、核心管理人才分层施策，通过定制化培训、导师带教、项目历练等方式，系统性提升员工专业能力与团队协作效能。结合新质生产力发展需求，融入数字技术、绿色低碳等前沿知识，以人才成长赋能全球客户服务能力升级。

    报告期内，公司推进2025年限制性股票激励计划和员工持股计划，向56名激励对象授予85万股限制性股票，将股东、公司与员工利益深度绑定，有效激发团队积极性与创造力，为国际化发展提供持续动力。

    （六）智能工厂数智化转型实现生产全维度效能提升支撑企业战略升级

    公司智能工厂以数字化、智能化为核心，深度融合MES制造执行系统、用友ERP企业资源计划、浙大中控DCS分布式控制系统、泛微OA协同办公平台、DCC文档管理系统及亿赛通数据加密系统，构建起覆盖生产计划、执行、监控、追溯、安全防护全链条的数字化管理体系。通过系统间数据贯通与流程协同，实现生产过程实时可视化、智能排程优化、设备预防性维护、全流程质量追溯及数据安全防护，推动生产效率提升30%、生产周期缩短35%、库存周转效率提升30%、质量追溯效率提升90%、设备综合利用率（OEE）提升20%、订单准时交付率提升至95%以上、人工成本降低15%，有效降低运营成本、保障产品质量，为企业打造高端电子化学品国产化替代的智能制造基石，支撑公司向国际一流的半导体材料供应商迈进。

    三、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    1、核心技术优势

    电子化学品由于其功能性及应用的针对性，不同产品所需的产品配方、工艺技术差异较大，同样产品采用不同技术生产所得到的产品质量及一致性存在较大差别。公司在长期的研发及生产经营活动过程中，逐渐建立了自己的产品研发和技术创新模式，通过自主研发取得核心产品的关键技术，并已实现了先进封装、晶圆制造和OLED显示领域电子化学品的技术突破，主要产品的技术指标和产品性能方面均满足客户需要，主要性能达到国外厂商同等水平。

    在电镀液及配套试剂方面，公司掌握了如“一种电镀锡添加剂及其制备方法和使用方法”、“一种用于电解沉积铜的组合物及酸铜电镀液”、“一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及电镀液”等多项电子化学品生产的关键专利技术，具备了自主开发多类半导体用化学品的技术能力。公司凭借“半导体电镀液的研发与产业化升级改造”项目荣获省经信委专项资金“专精特新小巨人企业智能化升级项目”。公司在封装领域占据了电镀液及配套试剂的主要供应商地位。在光刻胶及配套试剂方面，公司以光刻胶配套试剂为切入点，成功实现附着力促进剂、显影液、去除剂、蚀刻液等产品在下游封装厂商的规模化供应。同时，公司先进封装用g/i线厚膜负性光刻胶、OLED阵列制造的正性光刻胶取得了如“用于半导体封装工艺的负性光刻胶”、“一种OLEDarray制程用正性光刻胶”等专利，并掌握了如半导体封装用负性光刻胶制备及应用技术、晶圆制造i线光刻胶制备及应用技术、OLED光刻胶制备及应用技术、晶圆制造用PSPI制备及应用技术、高AR比厚膜KrF光刻胶制备及应用技术等核心技术。

    2、研发平台优势

    公司高效的研发平台是保持技术领先和实施技术标准战略的重要保障，公司是第一批工信部建议支持的国家级专精特新“小巨人”企业，江苏省省级企业技术中心、博士后创新实践基地。公司管理团队均毕业于国内重点高等院校，拥有10年或以上的半导体行业从业经历，有丰富的公司管理及半导体材料行业经验。管理及技术团队成员具备的先进国际经验、对产品技术的深刻理解、对行业的发展趋势的精准把握是公司在电子化学品领域不断取得技术突破，满足客户进口替代需求的重要保证。近年来公司承担或入选了江苏省重点研发计划项目、江苏省专精特新小巨人企业项目、江苏省双创人才项目、姑苏双创人才项目、苏州市成果转化项目、苏州市先进材料产业融合集群发展示范项目、昆山双创人才项目、昆山市产业链技术创新专项、昆山市新材料技术科技专项、昆山市祖冲之产业技术攻关计划等科技项目。公司在自主研发创新的同时，积极开展与高校合作，注重自身技术人才的培养并建立有效的研发激励机制，从而形成了高效的研发创新体系，建立了以企业为主导的产学研合作研发平台，提高了新产品的开发效率，提升了企业的自主创新能力。公司与复旦大学、上海交通大学、同济大学、东南大学、北京理工大学、苏州大学等高校进行了一系列的合作，结合高校的人才优势、技术优势及丰富的科研资源，实现了技术、人才、资金和经营管理等要素的最佳组合。

    3、Turnkey整体解决方案优势

    公司下游行业具有持续迭代和更新的特点，下游封测厂商及电子元件企业在不断改进工艺的同时也对上游材料企业的产品适应性提出了更高的要求。公司主要客户为国内领先的封测厂商及电子元件企业，公司作为本土电子化学品公司，基于自身较强的技术研发能力和技术储备，为客户提供Turnkey整体解决方案，覆盖电子化学品及配套材料的设计、研发和生产、应用工艺优化及技术支持，快速响应下游行业不断变化的需求，提升客户的满意度，加深了与下游客户的合作关系。公司向有需要的客户提供现场技术支持，可随时与客户进行有效沟通，及时反馈并高效落实客户在产品使用中遇到的问题。通过与客户建立紧密的联系，公司根据所了解的市场需求改进现有产品或设计，为客户提供新产品和新产线所需要的整套电子化学品。

    4、客户资源优势

    公司客户所处的集成电路、电子元件及半导体显示行业对电子化学品等材料供应商的产品质量和供货能力十分重视，产品通常需要经过客户的严格认证且认证周期较长，认证通过后即具有极强的客户粘性和不可替代性，因此，取得下游客户的信任与认证机会是公司在电子化学品领域的重要壁垒之一，优质的客户资源是公司进一步发展的重要保障。公司紧密围绕重点目标客户的业务需求及技术发展方向，配合长电科技、通富微电、华天科技、盛合晶微、上海华力、中芯国际、长鑫存储、长江存储、士兰微、臻鼎科技、京东方、华星光电等龙头企业，共同推动半导体材料供应链的自主可控。

    (三)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂均为配方型化学品，需要适配下游客户的生产工艺、生产设备、终端应用需求。终端电子产品不断更新迭代、下游集成电路、电子元件及显示面板等行业的工艺技术持续演进，对电子化学品企业的配方研发、生产工艺控制、产品应用等综合能力提出了较高的要求，需要电子化学品企业具备持续研发和创新的能力。

    国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况

    2、报告期内获得的研发成果

    公司围绕自身核心技术，基于产业发展及下游客户的需求，在不断提升技术与产品能力的同时拓宽产品品类，为客户提供更有竞争力的产品组合及整体解决方案。以创新驱动产品升级的能力持续增强现有客户粘度，巩固市场地位，以丰富经验及可靠的数据支撑和供应能力吸引新客户，开发新应用、开拓新兴市场领域。公司持续保持高水平的技术研发投入，配置先进设备，引进高端技术人才，坚持自主研发，提升公司产品和技术在行业内的领先水平。

    截至2025年12月31日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的发明专利53项，实用新型专利5项，软件著作权1项，公司研发人员增至101人，2025年研发投入6,942.21万元，较上年度同期增长51.24%。报告期内公司获得2025年江苏省“三首两新”认定（首批次新材料）、2024年度第二批省星级上云企业、2024年度昆山市祖冲之攻关计划银π项目、2024年度昆山市总部企业、2024年苏州市重大成果转化“揭榜挂帅”项目、2025年苏州市重点实验室、2025年江苏省新材料产业协会科学技术奖、、2024年江苏省创新创业领军人才计划。

    3、研发投入情况表

    研发投入总额较上年发生重大变化的原因

    报告期内研发费用6,942.21万元，同比增长51.24%，主要原因系公司进一步加大先进封装及晶圆制造领域，尤其光刻胶等高端及“卡脖子”产品的研发投入。其中材料费、折旧费用、职工薪酬分别较上年同期增长754.19万元、586.16万元、647.39万元。

    5、研发人员情况

    五、报告期内主要经营情况

    2025年，受益于半导体行业整体景气度回升，公司锚定关键电子化学品自主研发与产业化应用赛道，不仅在半导体封装化学品领域实现对国外供应商的规模化替代，稳固国内市场的核心主力供应商地位，在先进封装和晶圆领域的市场开拓也取得成效。报告期内，公司实现营业收入5.93亿元，同比增长37.13%。其中电镀液及配套试剂同比增长46.75%，光刻胶及配套试剂同比增长43.54%。归属于上市公司股东的净利润同比增长53.05%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长92.71%。

未来展望：

(二)公司发展战略

    2026年，全球半导体产业正处于技术迭代与格局重构的关键周期，先进封装、AI芯片、存储芯片等领域的爆发式增长，为国内半导体材料企业带来历史性机遇。公司以“成为全球领先的半导体关键材料供应商”为战略锚点，聚焦先进封装与晶圆制造两大核心赛道，构建“电镀液+光刻胶”双轮驱动的产品矩阵，通过技术创新、人才驱动、研发升级与规范运作，全面提升公司核心竞争力，为实现长期战略目标奠定坚实基础。

    (三)经营计划

    1、研发投入与技术创新

    持续投入光刻胶领域，重点推进KrF光刻胶、超高感度PSPI光刻胶及先进封装系列光刻胶的技术迭代与稳定量产；晶圆制造领域，推动28nm、14nm及以下电镀产品的稳定量产。完善“树脂设计-合成-纯化-光刻胶配方-工艺验证”全链条研发体系，加大光刻胶树脂自研自产力度；电镀液领域，优化添加剂配方，进一步提升产品稳定性与性能表现。与国内知名高校、科研机构建立长期深度合作，共建半导体材料研发实验室，引进行业顶尖技术人才，持续扩充研发团队规模，筑牢技术创新根基。

    2、产品竞争力提升与市场拓展

    深化与长电科技、华天科技、通富微电等头部封装客户的合作，扩大在头部晶圆厂核心供应商资质。东南亚制造中心建成投产，拓展东南亚、日韩等海外市场。针对头部封装客户提供定制化产品解决方案，深化合作层次；晶圆制造领域，重点突破中芯国际、华虹集团等客户，实现28nm制程电镀液批量供货，并逐步向14nm及以下制程渗透。存储芯片领域，适配HBM、3DNAND等先进存储技术需求，目标成为国内存储芯片材料核心供应商；半导体显示领域，加快OLED光刻胶客户验证进度，实现向华星光电、京东方等头部企业批量供货，并拓展至海外面板企业。

    3、产能建设与供应链优化

    公司规划2028年投产华东制造基地一期，扩充光刻胶及配套树脂、晶圆制造用电镀液及高纯试剂产能；2030年启动二期，进一步扩充电子级高纯化学品产能，合计形成年产2.3万吨集成电路材料生产能力。供应链优化方面，公司与核心供应商建立长期战略合作，确保原材料稳定供应；引入先进库存管理系统，实现原材料与成品库存动态监控，提升库存周转率，降低资金占用成本。尽快完成东南亚制造中心建设并投产，满足海外客户本地化供货需求，降低物流成本与贸易风险。建立供应商分级管理体系，筛选优质供应商并建立长期战略合作关系；加强供应商质量管控，建立原材料追溯体系，确保产品质量稳定。

    4、人才梯队建设与激励机制

    公司持续引进各细分领域技术领军人才，优化人才结构，提升研发团队实力与创新能力。同时引进95、00后硕士及以上人才，通过导师制、项目历练加速成长，提升研发骨干占比。公司将设置关键技术岗位双人互备制，与复旦大学、上海交通大学等高校联合培养人才，建立健全成长与激励机制，确保人才队伍稳定。

    5、规范运作与内部控制

    严格遵守法律法规，完善法人治理结构，构建全面内部控制体系，明确各治理主体职责权限。规范信息披露，加强投资者沟通，定期举办交流会与业绩说明会，维护市场形象与投资者信心。建立健全风险预警与应对机制，强化内部审计监督，确保战略目标实现，提升运营效率与风险管理水平。

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