扬杰科技获得发明专利授权：“一种增强型GaN-HEMT制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种增强型GaN-HEMT制备方法”，专利申请号为CN202310357525.X，授权日为2026年4月24日。

专利摘要：一种增强型GaN?HEMT制备方法。涉及半导体器件。本发明通过优化GaNHEMT的外延生长方法以及后续制备工艺，实现制备相同耐压，更小尺寸GaNHEMT器件或相同尺寸，更高耐压的目的。通过在高阻的氮化镓耐压层上生长规则排布的的AlN层作为凸台，后续在此凸台基础上生成均匀厚度的GaN沟道层和AlGaN势垒层，使用台阶仪检测AlGaN势垒层高点Z方向高度Z0，此时对外延片进行填充重掺杂的多晶硅，再使用平坦工艺刻蚀刻蚀到之前记录的Z0高度处，再继续生长P型GaN帽层，后续进行栅极区域的刻蚀，并制备肖特基金属、再在漏源区域制备欧姆金属，实现在相同的耐压下、大大缩减器件尺寸的目的。

今年以来扬杰科技新获得专利授权7个，较去年同期减少了77.42%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了4.71亿元，同比增11.24%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目271次；财产线索方面有商标信息9条，专利信息789条，著作权信息5条；此外企业还拥有行政许可247个。

数据来源：天眼查APP

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