晶合集成获得发明专利授权：“一种浅沟槽隔离结构的制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种浅沟槽隔离结构的制作方法”，专利申请号为CN202511971884.X，授权日为2026年4月21日。

专利摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，属于半导体技术领域，且浅沟槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，并在衬底上形成前置氧化层和氮化层；蚀刻氮化层、前置氧化层和部分衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽内沉积隔离介质层并平坦化，形成浅沟槽隔离结构；去除氮化层，浅沟槽隔离结构表面至前置氧化层表面之间的高度差形成初始台阶高度；依据初始台阶高度和预设台阶高度的高度关系，选择湿氧氧化工艺或原位水汽生长工艺氧化衬底，加厚前置氧化层；以及同步湿法蚀刻浅沟槽隔离结构和前置氧化层，将初始台阶高度调整至预设台阶高度。通过本发明公开的浅沟槽隔离结构的制作方法，可提高形成的半导体器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权175个，较去年同期增加了76.77%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1610条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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