晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202610063606.2，授权日为2026年4月21日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括：于基底上形成伪栅极、刻蚀阻挡层和层间介质层，伪栅极的数量为多个且间隔设置，刻蚀阻挡层覆盖伪栅极的侧壁和顶表面，层间介质层覆盖刻蚀阻挡层，并填充相邻两伪栅极之间的沟槽；研磨层间介质层和刻蚀阻挡层，直至露出伪栅极的顶表面，及沟槽内的层间介质层中形成凹陷；将伪栅极替换成栅极材料，栅极材料填充凹陷；采用化学干法刻蚀工艺刻蚀栅极材料，直至露出凹陷的内壁；对栅极材料和层间介质层进行平坦处理，形成栅极，栅极远离基底的顶表面和层间介质层远离基底的顶表面齐平。降低半导体结构出现短路的风险，提高半导体结构的良率和性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权175个，较去年同期增加了76.77%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1610条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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