晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202610073113.7，授权日为2026年4月21日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制造方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，衬底上形成有覆盖第一区域、第二区域的中间层；于中间层上形成第一功函数层；于第一功函数层上形成第二功函数层，第二功函数层的氮元素含量小于第一功函数层的氮元素含量；对第一功函数层和第二功函数层进行图形化处理，使剩余的第一功函数层和第二功函数层覆盖中间层，第二功函数层朝向衬底的正投影落入第一功函数层朝向衬底的正投影内，且在第一区域和第二区域的交界处上方，第一功函数层的边缘侧壁和第二功函数层的边缘侧壁组合形成阶梯状结构。本申请减少了金属元素向中间层扩散并形成偶极子的概率，改善了半导体器件的阈值电压漂移问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权175个，较去年同期增加了76.77%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1610条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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