晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202512005112.7，授权日为2026年4月21日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底、第一介质层、第一栅极结构和第二介质层，其中，衬底内开设有栅极沟槽；第一介质层覆盖所述栅极沟槽的底部和侧壁中靠近栅极沟槽底部的一侧；第一栅极结构位于所述栅极沟槽的底部，且所述第一栅极结构与所述第一介质层中位于栅极沟槽底部的部分接触设置；第二介质层覆盖所述第一栅极结构的顶部表面和部分侧壁，且裸露出所述第一栅极结构靠近所述栅极沟槽的底部一侧的部分侧壁；所述第一介质层和所述第二介质层之间设有空隙，且所述空隙设于所述第一栅极结构两侧。本申请提升了第一栅极结构与衬底之间的隔离性，降低了衬底的漏电流，实现了对半导体器件的阈值电压的高度控制。

今年以来晶合集成新获得专利授权175个，较去年同期增加了76.77%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1610条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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