晶合集成获得发明专利授权：“寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器”，专利申请号为CN202610142878.1，授权日为2026年4月21日。

专利摘要：本申请涉及一种寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器，包括提供设置有浅沟槽隔离结构的半导体基底；基于预设掩模版，于浅沟槽隔离结构远离半导体基底的一侧形成刻蚀减速结构和栅极结构；于刻蚀减速结构远离浅沟槽隔离结构的一侧依次形成绝缘层和布线层结构，布线层结构包括第一电容电极板；自半导体基底远离浅沟槽隔离结构的一侧形成第一开口以及第二开口；第一开口与刻蚀减速结构位置对应，且第一开口延伸至绝缘层，第二开口延伸至布线层结构；于第一开口内以及第二开口内填充导电材料，以在第一开口内形成第二电容电极板，且在第二开口内形成焊盘结构。本申请可依据已有掩膜版制备MIM电容，无需为MIM电容设计和制造专门的掩膜版，节省了制造成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权175个，较去年同期增加了76.77%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1610条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。