芯联集成获得发明专利授权：“一种LDMOS功率器件及其制造方法和电子装置”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种LDMOS功率器件及其制造方法和电子装置”，专利申请号为CN202211678795.2，授权日为2026年4月17日。

专利摘要：本发明提供一种LDMOS功率器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该器件包括：半导体衬底；漂移区设置在半导体衬底中；体区设置在半导体衬底中，并与漂移区间隔设置；场氧化层设置在漂移区内，其中场氧化层包括场氧区和位于场氧区一端的鸟嘴区，鸟嘴区靠近体区，场氧区远离体区；栅极结构覆盖部分场氧化层并自场氧化层向外延伸至覆盖部分体区的表面，其中，栅极结构包括栅极层，栅极层包括位于场氧区上的第一栅极层和位于体区上以及鸟嘴区上的第二栅极层，第一栅极层为未掺杂的栅极层，至少部分第二栅极层为掺杂的栅极层。

今年以来芯联集成新获得专利授权24个，较去年同期增加了14.29%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1743次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息813条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

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