芯联集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202310166915.9，授权日为2026年4月14日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供衬底，形成从衬底的第一表面延伸至衬底内部的沟槽，在沟槽的底部和部分侧壁形成有屏蔽介质层，并在沟槽中形成有屏蔽栅，屏蔽栅填充部分深度的沟槽，屏蔽栅的顶面高于屏蔽介质层的顶面，屏蔽介质层的顶面到第一表面的距离为第一深度；刻蚀去除部分屏蔽栅，以使屏蔽栅的顶面和屏蔽介质层的顶面齐平，并自第一表面刻蚀去除预定厚度的衬底，以使屏蔽介质层的顶面到第一表面的距离为第二深度，第一深度大于第二深度；在沟槽中形成栅间介电层和控制栅结构。本发明的方法通过在刻蚀屏蔽栅的同时刻蚀预定厚度的衬底，从而有效降低高密度等离子体填充深宽比，进而增大填充窗口、改善填充效果。

今年以来芯联集成新获得专利授权23个，较去年同期增加了21.05%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1743次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息812条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

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