晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的制造方法和半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制造方法和半导体器件”，专利申请号为CN202511861264.0，授权日为2026年4月7日。

专利摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，该方法包括：在晶圆的正面形成栅极结构；在晶圆和栅极结构上依次沉积自对准氧化物材料层和自对准多晶硅材料层；执行湿法蚀刻工艺对自对准多晶硅材料层进行图案化，以形成自对准多晶硅层；执行干法蚀刻工艺对自对准氧化物材料层进行图案化，以形成自对准氧化物层；对自对准多晶硅层、暴露出的晶圆以及栅极结构的上表面进行金属硅化物工艺，以形成金属硅化物层。本申请实施例提高了形成的金属硅化物层的均匀性与完整性，从而提升器件良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权147个，较去年同期增加了63.33%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目641次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1585条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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