晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202610069536.1，授权日为2026年4月3日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体领域，本发明改变现有技术中鳍式晶体管的制作工艺中应力硅技术的工序，将源极、漏极应力硅技术外延提前到鳍部形成之前，利用鳍部上的硬质掩模层采用自对准技术直接刻蚀出鳍部，意想不到的技术效果是：本发明无需考虑硬质掩模层去除工艺，后续沉积层间介质层后通过通孔工艺即可将源极、漏极和栅极引出，也无需考虑高载流子迁移率半导体材料的高难度外延技术，简化了生产工艺和降低了控制难度。本发明采用先形成阱区然后外延形成MOS区的方法，配合鳍部外延技术，使得本发明可以将应力硅技术延伸到栅极内部增加沟道载流子迁移速率，能耗更低，可以制作高质量的鳍式晶体管。

今年以来晶合集成新获得专利授权140个，较去年同期增加了55.56%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目641次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1585条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。