晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202511935769.7，授权日为2026年3月31日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成虚拟栅极以及包围虚拟栅极侧壁的第一层间介质层，去除虚拟栅极，在第一层间介质层内形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成牺牲层；在第一沟槽内形成第一金属层；去除部分厚度的第一金属层形成第二沟槽；去除牺牲层，在第一金属层侧壁与第一沟槽侧壁之间形成间隙；形成第二金属层，第二金属层填满间隙与第二沟槽，第二金属层与第一金属层共同构成金属栅极。本发明通过去除部分厚度的第一金属层以去除平坦化造成的残留物，同时形成覆盖第一金属层顶部与侧壁的第二金属层，如此即便第一金属层内还存在有残留物，由于第二金属层的存在也不会发生金属栅极失效的情况。

今年以来晶合集成新获得专利授权137个，较去年同期增加了55.68%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1538条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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