中微公司获得发明专利授权：“一种半导体器件形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件形成方法”，专利申请号为CN202011054646.X，授权日为2026年3月20日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件形成方法，在一真空反应腔内进行，包含：提供一衬底，该衬底上设置有介电质层，其包含至少一开口，所述介电质层上方和所述开口内设有底部抗反射涂层，所述开口周围的底部抗反射涂层上方设置光刻胶层；向所述真空反应腔内通入反应气体，对所述开口进行刻蚀，该反应气体包括第一气体和第二气体，第一气体包括NO，第二气体包括CO和/或CO2，反应气体对底部抗反射涂层的刻蚀速率大于对光刻胶层的刻蚀速率。本发明提供的NO/CO反应气体，可达到对BARC与PR的选择比与基础条件相当，对BARC的刻蚀速率大幅提升，PR的CD尺寸大幅减小，对SiN介电质层的氧化能力降低，使得后续湿法刻蚀晶片损失降低的效果，且刻蚀均一性也能满足要求。

今年以来中微公司新获得专利授权37个，较去年同期减少了2.63%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了11.16亿元，同比增96.65%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目76次；财产线索方面有商标信息109条，专利信息1623条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可77个。

数据来源：天眼查APP

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