晶合集成获得发明专利授权：“一种浅沟槽隔离结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种浅沟槽隔离结构及其制备方法”，专利申请号为CN202511727118.9，授权日为2026年3月27日。

专利摘要：本申请公开了一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，属于半导体技术领域，该制备方法包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成衬垫氧化层和氮化层；在所述衬垫氧化层、氮化层和半导体衬底中形成沟槽；所述沟槽从所述氮化层延伸至所述半导体衬底中，将所述半导体衬底划分为若干有源区；对所述沟槽两侧的所述衬垫氧化层和氮化层进行回刻，使得靠近所述沟槽侧壁顶部的半导体衬底有源区的顶表面暴露；在所述沟槽内壁以及暴露的半导体衬底有源区顶表面形成外延层；对暴露的半导体衬底有源区顶部拐角进行圆滑处理，形成线氧化层；在所述沟槽内形成隔离区，对所述隔离区进行平坦化处理，以暴露出所述氮化层，去除所述氮化层。

今年以来晶合集成新获得专利授权134个，较去年同期增加了65.43%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1538条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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