芯联集成获得发明专利授权：“一种绝缘体上硅衬底及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种绝缘体上硅衬底及其制备方法”，专利申请号为CN202511606930.6，授权日为2026年3月24日。

专利摘要：本申请提供一种绝缘体上硅衬底及其制备方法，包括：提供第一衬底和第二衬底；第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的表面形成绝缘层和位于绝缘层中的至少一个导热结构，每个导热结构包括至少一层第一绝缘导热层和至少一层第二绝缘导热层，其中，第一绝缘导热层的热导率大于绝缘层的热导率，第二绝缘导热层的热导率大于绝缘层的热导率；将第一衬底和第二衬底进行键合，绝缘层和导热结构位于键合后的第一衬底和第二衬底之间；对第二衬底进行剥离以去除部分第二衬底，剩余的第二衬底作为顶层半导体层，第一衬底作为绝缘体上硅衬底的基底层。本申请在绝缘层中嵌入导热结构，将顶层半导体层的热量传导至基底层，提高绝缘体上硅衬底的散热性能。

今年以来芯联集成新获得专利授权11个，较去年同期减少了21.43%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1739次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息769条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

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