晶合集成获得发明专利授权：“形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构”，专利申请号为CN202511328011.7，授权日为2026年3月24日。

专利摘要：本申请公开了一种形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构，所述方法包括：提供半导体前段器件结构，所述半导体前段器件结构上具有刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积一层介质薄层；在螺旋等离子体环境下利用乙醚清洗所述介质薄层；以及按照设置的循环次数执行所述沉积的步骤和所述清洗的步骤，以形成具有至少一层结构的缓冲层。与现有技术相比，本申请意想不到的技术效果是：可形成具有低介电常数的缓冲层，从而降低低介电常数材料层和缓冲层构成的互连结构的层间介电层的总体介电常数，改善互连结构中的RC延迟。

今年以来晶合集成新获得专利授权129个，较去年同期增加了72%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1523条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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