晶合集成获得发明专利授权：“沟槽结构的制备方法及半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽结构的制备方法及半导体器件”，专利申请号为CN202610024021.X，授权日为2026年3月17日。

专利摘要：本申请提供一种沟槽结构的制备方法及半导体器件。该制备方法包括：在基底形成暴露沟槽刻蚀区域的掩膜层；在沟槽刻蚀区域，对基底进行N轮次刻蚀工艺以形成沟槽，N＞1，每轮次刻蚀工艺包括：对基底进行氧化处理，得到位于沟槽刻蚀区域内的氧化层；进行至少一次刻蚀处理，刻蚀处理包括：以预设喷射速度按照沟槽深度方向喷射刻蚀气体，使得氧化层在第一环境下与刻蚀气体发生吸附反应而形成反应层，将第一环境调整为第二环境以使得反应层发生脱附反应而被去除；其中，第n轮次刻蚀中的刻蚀气体喷射速度大于第(n?1)轮次中的刻蚀气体喷射速度，n=2,…,N。该制备方法可有效避免暗电流，获得无电荷损伤的高深宽比的沟槽结构。

今年以来晶合集成新获得专利授权111个，较去年同期增加了94.74%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1676条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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