立昂微获得实用新型专利授权：“一种沟槽内具有散热通道的台阶状沟槽肖特基势垒二极管”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示立昂微（605358）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种沟槽内具有散热通道的台阶状沟槽肖特基势垒二极管”，专利申请号为CN202423192736.1，授权日为2026年2月27日。

专利摘要：本实用新型公开了一种沟槽内具有散热通道的台阶状沟槽肖特基势垒二极管。该二极管内的沟槽内设有散热通道、其在外延层横截面内为连续分布、形成联通蛇形排布；且沟槽在外延层表面的垂直面上的开口为分段设计、总体呈现上小下大的台阶式结构，上部小开口减小了不可导电结构所占芯片面积，增大了正向导通时可导电的半导体面积；而下开口大，避免了器件反向偏置时沟槽底部曲率半径小可能恶化的尖端放电效应；同时该分段设计利于实现在联通蛇形的沟槽内填充的导电多晶硅中形成连续分布的空洞，在该连续空洞中通入冷却液体或气体形成散热通道，达到增强芯片散热能力、降低芯片工作时结温，提高芯片工作功率、可靠性等。

今年以来立昂微新获得专利授权1个。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了1.36亿元，同比增3.39%。

通过天眼查大数据分析，杭州立昂微电子股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目14次；财产线索方面有商标信息8条，专利信息40条；此外企业还拥有行政许可115个。

数据来源：天眼查APP

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