晶合集成获得发明专利授权：“具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法”，专利申请号为CN202511535920.8，授权日为2026年3月6日。

专利摘要：本发明提供一种具有沟槽栅的半导体器件及其形成方法，先执行第一曝光工艺和第一刻蚀工艺以形成沟槽的底部栅氧，接着形成单晶硅层，再执行第二曝光工艺和第二刻蚀工艺以形成沟槽，沟槽暴露出底部栅氧的顶表面，然后形成沟槽栅，沟槽栅位于沟槽内且位于底部栅氧上，其中，第一曝光工艺和第二曝光工艺采用同一掩膜版，且第二光刻胶层与第一光刻胶层的极性相反。本发明意想不到的效果是，能够更方便地实现对沟槽的底部栅氧厚度的控制，以及先形成沟槽的底部栅氧再形成单晶硅层和沟槽，避免了形成沟槽后高密度等离子体工艺导致底部栅氧易提前封口的问题，可以简化工艺难度，同时为小关键尺寸的MOS器件提供了厚底部栅氧的可能，有助于提高器件密度。

今年以来晶合集成新获得专利授权99个，较去年同期增加了167.57%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1672条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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