安乃达获得实用新型专利授权：“楔块式MOS管固定结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示安乃达（603350）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“楔块式MOS管固定结构”，专利申请号为CN202520352358.4，授权日为2026年3月3日。

专利摘要：本实用新型提供了一种楔块式MOS管固定结构，涉及控制器技术领域，包括：壳体、MOS管、主板、楔块结构；所述MOS管安装在主板上，安装有所述MOS管的主板固定设置在壳体内，所述壳体内还设置有凹槽结构，所述MOS管部分伸入凹槽结构与壳体内壁之间的间隙中；所述楔块结构配置在凹槽结构和MOS管之间，所述楔块结构包括第一楔块和第二楔块，所述第一楔块、第二楔块以及MOS管三者依次相互抵接配合。本实用新型通过设置楔块结构，利用紧固件调节楔块结构，使MOS管在安装时具有足够的安装间隙，MOS管安装到位后被楔块结构压在壳体上，保证了MOS管与壳体贴合的稳定性，保证了MOS管的散热效果。

今年以来安乃达新获得专利授权5个，较去年同期增加了400%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了3667.17万元，同比增25.6%。

通过天眼查大数据分析，安乃达驱动技术（上海）股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目2次；财产线索方面有商标信息21条，专利信息199条，著作权信息8条；此外企业还拥有行政许可16个。

数据来源：天眼查APP

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