晶合集成获得发明专利授权：“改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件”，专利申请号为CN202511373979.1，授权日为2026年2月27日。

专利摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件，包括：提供一中间制品，包括PMOS区域和NMOS区域，PMOS区域和NMOS区域上均形成有多晶硅栅极结构及覆盖在多晶硅栅极结构外的第一氧化物层，多晶硅栅极结构包括从内到外依次形成的栅极多晶硅层、硬掩模层、氧化硅层和氮化硅层；研磨第一氧化物层，使第一氧化物层的表面齐平；减薄剩余的第一氧化物层，以显露出氮化硅层的顶部；刻蚀去除氮化硅层的顶部及侧墙的一部分，以显露出氧化硅层的顶部；减薄剩余的第一氧化物层，并去除氧化硅层以及硬掩模层的顶部，直至栅极多晶硅层的顶面停止。本发明有效减少NMOS与PMOS区域之间的高度差。

今年以来晶合集成新获得专利授权92个，较去年同期增加了196.77%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1657条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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