晶合集成获得发明专利授权：“SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法”，专利申请号为CN202511676037.0，授权日为2026年2月27日。

专利摘要：本发明公开了一种SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法，属于半导体领域，本发明首先将NMOS和PMOS的有源区分别设置在各自最佳方向上，然后将PMOS进行下沉设置，使得两种晶体管的有源区错开设置以提高散热能力；并且本发明为了制作上述结构，设计了相应的制备方法，在制备过程中，通过将上拉晶体管的栅极阶梯化，使得上拉晶体管的栅极能够通过金属硅化技术与传输栅极晶体管的有源区相连，从而极大降低接触电阻，也就是降低了存储节点的发热，从而提高整个器件的性能，并且读写速度比同等条件下现有技术更快。

今年以来晶合集成新获得专利授权92个，较去年同期增加了196.77%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1657条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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