芯联集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202511318587.5，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本申请提供一种半导体器件及其制造方法,制造方法包括：提供基底，基底上设置有介质层；在介质层上形成掩膜层，对掩膜层进行图案化，定义出预定形成第一沟槽的图案，将刻蚀设备设置为第一模式，对介质层进行刻蚀，形成位于介质层内的第一沟槽；将刻蚀设备切换至第二模式，向刻蚀设备的反应腔室通入碳源，在第一沟槽的侧壁和底部沉积形成碳膜层，在碳膜层上形成内凹槽，内凹槽的横向尺寸小于第一沟槽的横向尺寸；将刻蚀设备切至第一模式，以碳膜层为掩膜，刻蚀位于内凹槽底部以下的碳膜层和介质层，形成通孔；去除剩余的碳膜层。在本申请实施例中只需要一次掩膜，一次刻蚀制程便可形成双大马士革结构，简化了生产流程和生产周期，降低生产成本。

今年以来芯联集成新获得专利授权5个，较去年同期减少了37.5%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1737次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息797条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

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