芯联集成获得发明专利授权：“沟槽栅场效应晶体管的制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽栅场效应晶体管的制备方法”，专利申请号为CN202210350829.9，授权日为2026年2月3日。

专利摘要：本发明提供了一种沟槽栅场效应晶体管的制备方法。通过刻蚀栅极沟槽的顶角以形成平缓的过渡段，降低了刻蚀过程中在沟槽顶角位置的刻蚀速率，从而使得沟槽顶角上的氧化层不会被快速消耗而能够被保留，有效避免了栅电极和阱区之间发生离子扩散的问题。

今年以来芯联集成新获得专利授权4个，较去年同期增加了100%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1735次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息792条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

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