晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202511569345.3，授权日为2026年1月30日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：在衬底上形成隔离层和对准标记；在隔离层上形成第一金属层、第一抗反射层和第一光阻层；经由所述第一光阻层对所述第一金属层进行刻蚀以形成第一导电层，所述第一导电层的表面被自然氧化形成第一氧化层；在所述隔离层和所述第一氧化层的表面上形成吸附层，所述吸附层与所述第一氧化层反应以去除所述第一氧化层。本申请提供的半导体器件及其制造方法，通过吸附层与第一氧化层发生置换还原反应来去除不想要的第一氧化层，后续采用原子层沉积工艺形成第二氧化层，从而在获得理想第二氧化层的情况下，大大改善制造工厂在生产半导体器件时的可量产性。

今年以来晶合集成新获得专利授权31个，较去年同期增加了158.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1599条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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