晶合集成获得发明专利授权：“一种LDMOS器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种LDMOS器件及其制备方法”，专利申请号为CN202511468091.6，授权日为2026年1月30日。

专利摘要：本申请公开了一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括：第一掺杂类型的半导体层；位于所述半导体层内部的体区和漂移区，所述体区具有第一掺杂类型，所述漂移区具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，所述漂移区包括多个在水平方向排列的分区，多个所述分区之间相互分离；位于所述体区中的源区和位于所述漂移区中的漏区，所述源区和所述漏区具有第二掺杂类型；位于所述源区和所述漏区之间的半导体层表面的栅极导体；以及多个多晶硅场板，位于所述源区和所述漏区之间的分区的表面；其中，多个多晶硅场板之间电连接，并且外接电压。

今年以来晶合集成新获得专利授权31个，较去年同期增加了158.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1599条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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