晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202511666098.9，授权日为2026年1月30日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体领域。半导体结构的制作方法包括：提供衬底，于衬底内形成功能层；其中，功能层包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，及设置于第一掺杂区和第二掺杂区之间的隔离结构；分别在第一掺杂区和第二掺杂区上制作栅极结构，所述栅极结构包括栅氧化层、栅极和栅极侧墙；制作离子阻挡层，所述离子阻挡层至少露出第一掺杂区中的源极制备区域和漏极制备区域；制作缓冲层，所述缓冲层至少覆盖第一掺杂区的栅极结构，所述缓冲层为多孔结构；对缓冲层进行离子注入，将缓冲层的表层转换为加固层。通过该方法形成的缓冲层和加固层可以很好的保护栅极结构，避免栅极结构发生损坏。

今年以来晶合集成新获得专利授权31个，较去年同期增加了158.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1599条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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