甬矽电子获得发明专利授权：“局部空腔封装结构和封装方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“局部空腔封装结构和封装方法”，专利申请号为CN202210282023.0，授权日为2026年1月27日。

专利摘要：本发明的实施例提供了一种局部空腔封装结构和封装方法，涉及芯片封装技术领域。该局部空腔封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片和保护膜，第一芯片和第二芯片间隔设于基板上，保护膜设有预切痕，第二芯片的外围设有穿刺件，保护膜铺设于基板上以罩设第一芯片和第二芯片；穿刺件凸设于基板上，且与预切痕对应设置。这样可以在第一芯片的底部形成封闭空腔结构，同时，穿刺件的设置有利于将第二芯片外围的保护膜刺破，从而在塑封时能让塑封体进入第二芯片底部。

今年以来甬矽电子新获得专利授权2个，较去年同期减少了50%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了1.42亿元，同比增51.28%。

通过天眼查大数据分析，甬矽电子（宁波）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目40次；财产线索方面有商标信息165条，专利信息450条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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