京东方Ａ获得发明专利授权：“金属氧化物半导体材料、靶材及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示京东方Ａ（000725）新获得一项发明专利授权，专利名为“金属氧化物半导体材料、靶材及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法”，专利申请号为CN202011511468.9，授权日为2025年10月17日。

专利摘要：本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物半导体材料、靶材及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法。用于解决相关技术中金属氧化物半导体TFT在NBIS下阈值电压负漂，引起显示画面的劣化的问题。一种金属氧化物半导体材料，包括：半导体基质材料；以及掺杂在所述半导体基质材料中的至少一种稀土化合物，每种稀土化合物的通式表示为(MFD)aAb；在通式(MFD)aAb中，MFD选自稀土元素中，能够发生f?d跃迁和/或电荷转移跃迁的元素中的一种，A选自能够使相应的MFD发生f?d跃迁和/或电荷转移跃迁的吸收光谱的波段红移至可见光波段范围内的元素，a为通式(MFD)aAb中元素MFD的原子个数，b为元素A的原子个数。

今年以来京东方Ａ新获得专利授权3346个，较去年同期增加了20.58%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了60.46亿元，同比增4.13%。

数据来源：天眼查APP

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