中微公司获得发明专利授权：“一种在高深宽比结构中沉积钨的方法及其半导体基片”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种在高深宽比结构中沉积钨的方法及其半导体基片”，专利申请号为CN202210786306.9，授权日为2025年10月14日。

专利摘要：本发明公开了一种在高深宽比结构中沉积钨的方法及其半导体基片，该高深宽比结构为深宽比大于50的凹陷结构，该方法包括：第一沉积步骤，在凹陷结构的侧壁和底部沉积第一厚度的钨材料层；处理步骤，通入处理气体到基片表面，处理气体包括含氟/氯的自由基和至少含碳、硫、氮、氢或氧之一的自由基；第二沉积步骤，沉积第二厚度的钨材料层，使得凹陷结构的至少部分区域被钨填充。其优点是：其通过处理气体中的自由基在钨材料层表面形成表面键，以减缓该处后续钨材料沉积，含氟/氯自由基的刻蚀进一步避免了凹陷结构顶部开口的过早封闭，实现了凹陷结构内的缝隙下移和缩小，避免在后续CMP处理工艺中暴露缝隙，有助于提升基片的使用寿命及其电学性能。

今年以来中微公司新获得专利授权129个，较去年同期增加了40.22%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了11.16亿元，同比增96.65%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目67次；财产线索方面有商标信息98条，专利信息1538条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可76个。

数据来源：天眼查APP

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