芯联集成获得发明专利授权：“接触孔测试结构及其制造方法、检测接触孔过度刻蚀的方法和半导体器件结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“接触孔测试结构及其制造方法、检测接触孔过度刻蚀的方法和半导体器件结构”，专利申请号为CN202411293708.0，授权日为2025年10月3日。

专利摘要：本发明提供一种接触孔测试结构及其制造方法、检测接触孔过度刻蚀的方法和半导体器件结构，接触孔测试结构包括：衬底；位于衬底中的第一阱区，以及位于第一阱区中的第二阱区；位于第二阱区表面上的第二金属硅化物层以及位于部分第一阱区表面的第一金属硅化物层，第一金属硅化物层与第二金属硅化物层间隔设置；位于第一金属硅化物层与第二金属硅化物层上的介质层，以及位于介质层中与第一金属硅化物层电连接的第一接触孔结构和与第二金属硅化物层电连接的第二接触孔结构；分别与第一接触孔结构电连接的第一测试端和与第二接触孔结构电连接的第二测试端。本发明能够通过得到的电学性能测试数据来判断接触孔是否出现刻穿现象，更加省时省力。

今年以来芯联集成新获得专利授权54个，较去年同期减少了10%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1707次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息738条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可42个。

数据来源：天眼查APP

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