广立微获得实用新型专利授权：“一种用于监控注入阴影效应的测试结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种用于监控注入阴影效应的测试结构”，专利申请号为CN202422629751.1，授权日为2025年10月3日。

专利摘要：本实用新型提供一种用于监控注入阴影效应的测试结构，所述测试结构包括衬底、有源区、金属互连结构和多晶硅结构；所述有源区设置在所述衬底上，所述多晶硅结构横跨至少一个所述有源区并覆盖所述有源区的部分表面；在至少一个所述有源区上设置金属互连结构，用于将目标有源区接出；其中，所述目标有源区包括在至少一个所述有源区中，基于所述多晶硅结构和/或所述有源区的边界，确定的至少一个有源区区域。其结构简单，易于制造，是一种适用于监控IO制程中注入阴影效应的测试结构，能够有效判定注入阴影效应对器件工作特性的影响程度，利于提高器件性能水平与产品良率。

今年以来广立微新获得专利授权57个，较去年同期增加了83.87%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.44亿元，同比增9.1%。

通过天眼查大数据分析，杭州广立微电子股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目48次；财产线索方面有商标信息132条，专利信息231条，著作权信息92条；此外企业还拥有行政许可57个。

数据来源：天眼查APP

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