东微半导获得发明专利授权：“IGBT器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东微半导（688261）新获得一项发明专利授权，专利名为“IGBT器件”，专利申请号为CN202111534459.6，授权日为2025年9月12日。

专利摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件，包括n型半导体层；位于n型半导体层内的若干个p型体区，位于n型半导体层内且介于相邻的p型体区之间的栅沟槽，位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于栅沟槽的上部内的栅极，所述栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离；若干个p型体区中，至少有一个p型体区具有第一掺杂浓度并定义为第一p型体区，且至少有一个p型体区具有第二掺杂浓度并定义为第二p型体区，第一p型体区的第一掺杂浓度小于第二p型体区的第二掺杂浓度；至少有一个与第一p型体区相邻的栅沟槽内的屏蔽栅外接栅极电压，剩余的栅沟槽内的屏蔽栅外接发射极电压。

今年以来东微半导新获得专利授权7个。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4223.04万元，同比增8.89%。

通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目15次；财产线索方面有商标信息31条，专利信息159条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可9个。

数据来源：天眼查APP

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