芯导科技获得发明专利授权：“MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯导科技（688230）新获得一项发明专利授权，专利名为“MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备”，专利申请号为CN202211464258.8，授权日为2025年8月29日。

专利摘要：本发明提供了一种MOSFET器件的制作方法，包括：形成具有栅极沟槽的MOSFET器件结构；所述MOSFET器件结构包括衬底，以及形成于所述衬底上的外延层；场氧层，形成于所述栅极沟槽的内壁以及所述栅极沟槽外的所述外延层的表面上；形成屏蔽栅极；其中，所述屏蔽栅极顶端是平整的表面。形成栅间氧化层以及栅极；所述栅间氧化层形成于所述屏蔽栅极的平整的表面上，所述栅极形成于所述栅间氧化层上；在所述栅极周围的所述外延层中依次形成体区离子注入层、源区离子注入层，在所述栅极的顶端依次形成层间介质层和金属铝层，以及形成接触孔。该技术方案解决了如何制作平整表面的屏蔽栅极的问题，实现了保证器件具有更好的电性的技术效果。

今年以来芯导科技新获得专利授权9个，较去年同期增加了50%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1533.63万元，同比减10.9%。

通过天眼查大数据分析，上海芯导电子科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目4次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息131条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可5个。

数据来源：天眼查APP

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