晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202510638096.2，授权日为2025年8月19日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供基底；所述基底包括衬底和浅沟槽隔离结构；其中，所述衬底包括被所述浅沟槽隔离结构定义出的第一区域；刻蚀所述衬底，形成位于所述第一区域的凹槽；其中，所述凹槽的底部所在平面与相邻浅沟槽隔离结构互相面对的侧壁形成目标区域；所述目标区域内具有在刻蚀衬底过程中形成的衬底刻蚀残留部；将所述衬底刻蚀残留部的材质进行转化，以在所述目标区域制作得到第一栅氧化层。通过转化衬底刻蚀残留部的材质，能够减少在制作形成第一栅氧化层之后目标区域的衬底材料残留，提升第一栅氧化层的可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权244个，较去年同期增加了15.09%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1219条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。