晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202510170528.1，授权日为2025年6月27日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底；第一掺杂类型的漂移区，位于衬底内；场介质层结构，包括第二介质层以及第一介质层；第二介质层位于漂移区远离衬底的一侧表面；第一介质层包括多个第一介质部，多个第一介质部沿第一方向插置于第二介质层内；其中，第一方向垂直于衬底指向场介质层结构的方向；多个第二掺杂类型的顶区，沿第一方向间隔设置在漂移区内，顶区与第一介质部对应设置；第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。第一介质部插置在第二介质层内，可降低第二介质层尖角处的电场强度，降低表面电场。顶区和漂移区构成了多重RESURF结构，可以改善器件表面电场分布，促进漂移区内载流子的注入，降低了导通电阻。

今年以来晶合集成新获得专利授权189个，较去年同期增加了11.83%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目626次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1157条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可17个。

数据来源：天眼查APP

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