证券之星消息,根据天眼查APP数据显示广立微(301095)新获得一项发明专利授权,专利名为“应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构及方法”,专利申请号为CN201911302962.1,授权日为2025年5月30日。
专利摘要:本发明提供一种应用于FinFET工艺中,利用电性测试来有效监控EPI大小的测试结构,该测试结构包括FinFET中至少两根依次相邻的鳍(Fin),第一根鳍和/或最后一根鳍上取两个连接点以连接到各自的焊盘;所述鳍上横跨有至少两根依次相邻的栅极(GT),对于处于中间的每根栅极,在第一根鳍或者最后一根鳍上分别设置有连接结构,所述连接结构用于连接该鳍上被该栅极隔断的两侧,以形成蛇形线的应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构。
今年以来广立微新获得专利授权37个,较去年同期增加了60.87%。结合公司2024年年报财务数据,2024年公司在研发方面投入了2.77亿元,同比增33.49%。
数据来源:天眼查APP
以上内容为证券之星据公开信息整理,由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。