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扬杰科技获得实用新型专利授权：“减小PP区空穴的SiCMOSFET”

来源：证券之星企业动态 2025-05-17 02:56:39

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“减小PP区空穴的SiCMOSFET”，专利申请号为CN202421517835.X，授权日为2025年5月2日。

专利摘要：减小PP区空穴的SiC MOSFET，涉及半导体技术领域。本实用新型在器件中P?body区下部和PP区底部的位置通过形成截止区的N+区，使器件PN结体二极管在续流过程中，作为截止区的N+区会将PP区的空穴截止，避免其进入到SiC Drift层。这样减小了PP区空穴与SiC Drift层电子发生复合，从而降低了器件的双极退化风险。

今年以来扬杰科技新获得专利授权42个，较去年同期增加了16.67%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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