立昂微获得发明专利授权：“一种肖特基势垒二极管及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示立昂微（605358）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种肖特基势垒二极管及其制造方法”，专利申请号为CN202411910085.7，授权日为2025年4月25日。

专利摘要：本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法。该二极管的沟槽由上中下三个柱形口构成台阶状；沟槽内填充导电多晶硅；介质层将导电多晶硅与沟槽内壁外延层隔离，且上柱形口侧壁以及下柱形口内壁的介质层相对厚、中部柱形口侧壁的介质层相对薄，使得沟槽内壁的介质层形成上下厚、中部薄的分布。由于沟槽下部介质层较厚，反向偏置时承担压降增加，提高器件反向阻断能力；沟槽中部介质层薄，反向偏置时利于台面外延层中形成耗尽夹断，改善器件反向阻断性能；沟槽最上部介质层厚，只需少量多晶硅完成沟槽填充、降低成本，还可增大器件上表面多晶硅与外延层的距离，弱化势垒合金过程中多晶硅掺杂杂质通过势垒金属向外延层扩散、改善反向阻断漏电。

今年以来立昂微新获得专利授权1个。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.32亿元，同比增0.07%。

数据来源：天眼查APP

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