兴福电子获得发明专利授权：“一种高选择性且低泡的蚀刻液”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兴福电子（688545）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高选择性且低泡的蚀刻液”，专利申请号为CN202211573449.8，授权日为2025年4月22日。

专利摘要：本发明公开了一种高选择性且低泡的缓冲氧化物蚀刻液。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于二氧化硅薄膜的蚀刻，并可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻。其中添加剂可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻，并在溶液体系中分散性好、不易起泡，可避免蚀刻过程不均匀。表面活性剂主要用于降低蚀刻液的表面张力，提高蚀刻液浸润性。本发明所述的蚀刻液对二氧化硅层和多晶硅层具有高选择性；同时对二氧化硅层和氮化硅层具有高选择性，蚀刻速率选择比≥12。本发明所述的蚀刻液可调整各组分含量，以满足不同制程中的二氧化硅层对多晶硅层和氮化硅层的蚀刻选择比要求。

今年以来兴福电子新获得专利授权12个。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了7692.3万元，同比增35.52%。

数据来源：天眼查APP

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