斯达半导获得发明专利授权：“一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示斯达半导（603290）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法”，专利申请号为CN202110806427.0，授权日为2025年4月18日。

专利摘要：本发明公开了一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法，该功率器件结构包括Bipolar部分及MOSFET部分，其具体包括N型衬底及设置在该N型衬底底部的集电极金属层，N型衬底的顶部设置有P?base区，P?base区上通过沟槽设置有若干栅极氧化层及竖直布置在对应栅极氧化层内的沟槽栅极；P?base区内设置有若干N+注入区和P+注入区，P?base区的顶部两侧对应于N+注入区和P+注入区的位置上设置有可浮动基级和发射极，且所述可浮动基级和发射极之间通过ILD外绝缘层进行隔离，该功率器件结构的制作包括生长外延层、生长场氧化层等步骤，工艺流程和普通碳化硅MOSFET的流程兼容，不需要增加新步骤。

今年以来斯达半导新获得专利授权7个，较去年同期增加了250%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.51亿元，同比增33.86%。

数据来源：天眼查APP

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